DAコンバータユニット（USB接続）『TUSB-0416DAM』

PR分解能16ビット、変換レート1MHz USBインターフェース付きDAコ…

本ユニットは、分解能16bit、変換レート1MHzの高性能DAコンバータユニット（USB接続）です。 アナログ出力はBNCコネクタ４チャンネルで、高分解能の直流電圧出力の他、FIFO方式メモリとUSBインターフェースとの組み合わせで、制限なく連続的に波形出力が可能です。 可変基準電圧源の他、ファンクションジェネレータ、任意波形発生器などとしても使用できます。...出力チャンネル数：4ch（2ch*...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社タートル工業

特長的な基板にも対応可能な！3D局所加熱のIHはんだ付け装置

PR大きな熱量の出力も可能なため幅広い基板に"1台"で…

『S-WAVE301H』は、大きな熱量を要するプリント基板を スポット加熱する製品です。 バスパー、パワー半導体、4層基板、高多層基板、厚銅基板、 セラミック基板、金属ベース基板といった特長的な基板にも対応可能。 低消費電力、高い加熱効率などの特長はそのままです。 ご用命の際は、当社へお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■低消費電力、高い加熱効率 ■大きな熱量を要...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社富山技販

【分析事例】バイポーラトランジスタ（IGBT）の不良品調査

高電圧電源を用いたエミッション顕微鏡による故障箇所の特定

発光像とIR像の重ね合わせにより、リーク箇所を顕微的視野で特定できます。クラックや静電破壊など大規模な外観異常がある場合は、IR顕微鏡でも異常を確認可能です。また、エミッタ電極の遮光により、発光が検出できない場合には、コレクタ電極を除去し、コレクタ側から近赤外光を検出します。 2000Vまで印加可能な高電圧電源を用い、高耐圧で低リーク電流のパワーデバイスを動作させ、エミッション顕微鏡で故障箇所を...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】SiCSchottkyDiodeのブレークダウン観察

前処理から発光箇所特定まで一貫解析

高電圧電源（2000Vまで印加可能）を用いることで、耐圧の高いダイオードに対してもブレークダウンを発生させることができます。 本事例では600V耐圧のSiC Schottky Diodeを動作させ、逆方向に高電圧まで印加することで、ブレークダウンを発生させました。カソード電極を研磨で除去後、エミッション顕微鏡観察を行い、ブレークダウン電流発生箇所を特定した事例をご紹介します。測定には市販品を用い...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

［SEM］走査電子顕微鏡法

高倍率観察(30万倍程度まで)が可能

SEMは、電子線を試料に当てた際に試料から出てくる電子の情報を基に、試料の凹凸や組成の違いによるコントラストを得ることができる手法です。 ・簡単な操作で高倍率観察(50万倍程度まで)が可能 ・二次電子（Secondary Electron;SE）像、反射電子（BackScattered Electron;BSE）像、透過電子（Transmitted Electron;TE）像の観察が可能 ...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】積層セラミックコンデンサ(MLCC)の加熱SSRM

誘電体内の伝導パス(絶縁劣化箇所)の可視化

積層セラミックコンデンサ(MLCC)は、内部電極(金属)/誘電体層(絶縁体)/内部電極(金属)の積層構造を有するコンデンサです。MLCCの問題の一つとして高電界かつ高温下における誘電体層の絶縁劣化(低抵抗化)、つまり電極間ショートがあります。誘電体層内に形成される低抵抗な伝導パスを可視化することは絶縁劣化現象を解明する重要な手がかりとなります。本資料では、SSRM測定(高電界)と加熱機構(高温)を...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

分析事例トレンチ型Si-MOSFETのIDSSリーク箇所複合解析

デバイスの不良箇所特定から要因解析までワンストップでご提供

パワーデバイスは高電圧・大電流のスイッチとして電力/省エネの観点で注目されています。パワーデバイスでは、高電圧がかかるゆえの配線の不良や電気的な不良が生じます。また製品の信頼性向上のためには、不良要因の特定および解析が必須となります。本資料では不良箇所の特定をEMS(エミッション顕微鏡法)を用いて行い、不良要因解析をSCM(走査型静電容量顕微鏡法)とSEM（走査型顕微鏡法）で評価した事例をご紹介し...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

ロックイン発熱解析法

ロックイン発熱解析法は、電流経路中の僅かな温度上昇を検出します

・IR-OBIRCH機能も合わせ持ち、発熱箇所特定後、IR-OBIRCH測定により、故障箇所をさらに絞り込むことができます。 ・赤外線を検出するため、エッチングによる開封作業や電極の除去を行うことなく、パッケージのまま電極除去なしに非破壊での故障箇所特定が可能です。 ・ロックイン信号を用いることにより高いS/Nで発熱箇所を特定でき、Slice ＆ Viewなど断面解析を行うことができます。.....

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】パッケージ品のロックイン発熱解析

Si系パワーダイオードのリーク箇所非破壊分析

ロックイン発熱解析において、ホットスポットを絞るためには周波数を上げることが望ましいですが、一方で感度が悪くなってしまうという問題があります。そこで、高周波数側から低周波数側に測定条件を振っていき、発熱信号が得られ始める周波数を見際めることが重要となります。 本事例では円筒状のパッケージ品において、リーク電流に伴う発熱箇所を非破壊で特定した事例をご紹介します。このように液晶法では難しい立体構造の...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】近赤外VCSELのSMMによるキャリア分布評価

実装品の解体・加工から拡散層の計測までを一貫して行えます

近赤外VCSEL（面発光レーザー）の実装品を解体して微小なチップを取り出し、断面加工の後にSMM計測を実施しました。 VCSELの開口部を取り囲むように、高抵抗の電流狭窄層が観察されました。また、活性層近傍では材質の異なる膜が積層しており、この組成を反映したコントラストとして計測されました。同一組成の層内にもコントラストが確認され、これはキャリア濃度差やバンドの曲りを反映していると考えられます。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

［SSRM］走査型広がり抵抗顕微鏡法

ナノメートルレベルでの局所抵抗測定が可能

SSRMは、バイアスが印加された試料の表面を導電性探針で走査し、抵抗値の分布を二次元的に計測することで探針直下の広がり抵抗を可視化する手法です。 シリコン半導体素子を計測した場合、空間分解能に依存しますが、キャリア濃度1016個/cm3以上に感度があります。 ・ナノメートルレベルでの局所抵抗測定が可能 ・半導体のドーパント濃度分布計測に有効 ・半導体の極性（p型/n型）の判定は不可 ...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST