リモートプラズマ・イオンビームスパッタリング装置　

PRヘリコンプラズマソースをイオン源として、ターゲット、基盤へのバイアス印…

ヘリコンプラズマソースをイオン源として、ターゲット、基盤へのバイアス印加により高品質かつフレキシブルな成膜をする装置です。 イオン源、ターゲット、基盤それぞれに対して独立した電流制御を行います。 複数のターゲットを搭載し、切り替えての多層成膜も簡単に行えます。同時にターゲット付近、基盤付近に独立したガス供給も行えるため、酸化膜・窒化膜をはじめとした様々な多層光学薄膜も成膜可能。新たな素材探索や成膜...

メーカー・取り扱い企業： ティー・ケイ・エス株式会社

対応切削部品

PR鉄鋼材やステンレス、難窒化処理や焼入れなど様々な材料・処理に対応！

当社の対応切削部品についてご紹介いたします。 スパーギヤやヘリカルギヤ、ウオームギヤなどの切削歯車や 単品シャフトをラインアップ。鉄鋼材やアルミ合金、浸炭焼入れや 電解ニッケルなど様々な材料・処理に対応しています。 ご用命の際は、当社へお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■モジュール0.1～対応可能 ■ご要望に応じたカスタム対応 ※詳しくはPDF資料をご覧いた...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社信電舎 東京本社

ユニフォームプラズマスパッタ装置

均一性プラズマ閉じ込めによる高品質スパッタリング

【特長】 ●均一なプラズマ分布 ●独立したプラズマ室 ●基板温度100℃以下の低温スパッタ(SiO2，2KW，1時間) ●基板へのプラズマ衝撃フリーにより緻密な膜の形成・組成ずれのない合金膜 ●CVDのような特殊なガスを使わず、ターゲット間を電子が高速で往復することでスパッタ粒子(ターゲット材)を活性種化。それにより効率的に反応性スパッタ膜が形成されます。 ●テストスパッタはご相...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社ヤシマ

円筒ターゲット

スパッタリング装置に搭載する高品質な円筒ターゲット、平面ターゲット並び…

ーゲットの上にそのまま溶射できる。 欠点：プラズマスプレイ法より高価。初期立上げに時間がかかる。 註：上記２と同じ ４．製法：キャストターゲットのインジウムボンディング 代表的材料：特殊合金等 利点：高純度品が可能。 欠点：切れ目からのアークのリスクがある。低速回転にて、割れたりインジウムが溶ける。高価。投入限界パワーが低い。 ５．製法：焼結ターゲットのインジウムボンディング...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社スパッタリングコンポーネンツジャパン