ＵＬＳＩ多層配線技術の基礎と最新動向セミナー

デバイスメーカーの最前線の開発責任者が語る材料、装置、周辺技術への期待と要求！

微細かつ薄膜の金属（Cu）配線と低誘電率（Low-k）層間絶縁膜は、シリコンULSIにおいて広く用いられてきましたが、さらなる微細化や薄膜化、低抵抗化や低容量化、高信頼化への要求が益々強くなっています。しかし、配線寸法やコンタクト/ビアホール径の微細化・薄膜化に伴って配線/ホールの電気抵抗や寄生容量は著しく増大し、導通歩留りや信頼性を確保するのがより一層難しくなっているのが現状です。本セミナーでは、28nm世代以降の微細金属配線形成のための薄膜バリアメタル及びCu埋め込み技術の最新動向をはじめ、高信頼化技術の今後の方向性について述べます。次に、世界的に開発が遅れている比誘電率2.5以下の多孔質（Porous）Low-k絶縁膜の材料・プロセス課題と、実用化する上で鍵を握る機械強度やプラズマダメージ耐性の改善施策や、究極の低容量化技術であるエアギャップ形成技術や、金属配線代替としてのナノカーボン材料（グラフェン、CNT）を用いた低抵抗・高信頼性配線／ホール埋め込み技術の最新動向と実用化に向けた課題について言及します。