テックインサイツジャパン株式会社（TechInsights）
最終更新日：2014-11-26 10:20:02.0
メモリー構造解析レポート 「SK Hynix 16 nm」
基本情報メモリー構造解析レポート 「SK Hynix 16 nm」
技術・知財コンサルタントなどを行っているテックインサイツジャパン株式会社の製品カタログです。
【掲載内容 ※詳しくはカタログをご覧ください】
本レポートは、Apple iPhone 6 Plusスマートフォンに採用されているSK Hynix H2JTDG8UD1BMS (16 GB、16nm ノード MLC NAND フラッシュメモリー) の詳細構造解析です。
本デバイスは 3 層メタル構造プロセス (第 1、2 金属層: W、第 3 金属層:Al)、ポリサイド製制御ゲート、ポリシリコン製の浮遊ゲートを使用して製造されています。メモリーアレイは、32nm のビット線ピッチおよび 38nm のワード線ピッチを特徴としています。
エアギャップが採用されており、隣接セル間のクロストークを低減します。
メモリー構造解析レポート 「SK Hynix 16 nm」
本レポートは、Apple iPhone 6 Plusスマートフォンに採用されているSK Hynix H2JTDG8UD1BMS (16 GB、16nm ノード MLC NAND フラッシュメモリー) の詳細構造解析です。
本デバイスは 3 層メタル構造プロセス (第 1、2 金属層: W、第 3 金属層:Al)、ポリサイド製制御ゲート、ポリシリコン製の浮遊ゲートを使用して製造されています。メモリーアレイは、32nm のビット線ピッチおよび 38nm のワード線ピッチを特徴としています。
エアギャップが採用されており、隣接セル間のクロストークを低減します。
【特徴】
○重要なデザインとマニュファクチャリング革新の理解
○適切な情報に基づいた技術的な資源投資判断
詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。 （詳細を見る）
取扱会社 メモリー構造解析レポート 「SK Hynix 16 nm」
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テックインサイツは、カナダの首都オタワに拠点を置くグローバルなマイクロエレクトロニクス業界を対象とした技術・知財コンサルタント会社です。 弊社は、VLSI集積回路および電子システムの綿密な技術調査・解析を通じて、顧客の知的財産（IP）権の行使や新しいテクノロジーおよび製品の開発と商品化をサポートします。
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