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最終更新日:2020-05-12 11:44:46.0
InGaN/GaN量子ドットLEDシミュレーション(InGaN/GaN Quantum Dot LED Simulation)
基本情報InGaN/GaN量子ドットLEDシミュレーション(InGaN/GaN Quantum Dot LED Simulation)
InGaN/GaN量子ドットLEDのシミュレーション事例
LEDデバイスを例に量子ドット(quantum dots)のモデルを解説。量子ドットサイズごとの発光スペクトル(EL spectrum)をシミュレーション。また、実験結果とも比較。量子輸送の有無によるI-V特性をシミュレーション、結果を比較。また、実験結果とも比較。量子効率の解析、比較。量子ドットの密度の違いによる量子効率や発光スペクトルを比較。また、量子ドット(quantum dots)と量子井戸(quantum wells)のLEDデバイスの特性を比較。
半導体デバイス用汎用2D/3D有限要素解析・設計ソフトAPSYS
<主な特徴>
■半導体デバイス用の汎用2D/3D有限要素解析・設計ソフトウェア
■半導体レーザを除くほとんど全てのデバイス設計・解析に適用可能
(半導体レーザは別製品LASTIPとPICS3Dでシミュレーションが可能)
■シリコン、化合物から成るデバイスの設計に用いることが可能
<多様な物理モデルや機能>
■電流-電圧(I-V)特性
■ポテンシャル、電場、電流の2次元分布
■流体力学モデルにおけるホット・キャリア温度の2次元分布
■熱輸送モデルで用いられる格子温度の2次元分布
■様々なバイアス条件のもとでのバンド図
■任意の周波数帯における交流微小信号応答解析の結果
■荷電子混合モデルを用いた量子井戸のサブバンド
■半導体中の深いレベルにトラップされた不純物占有数と密度の2次元分布
■光検出器などの光デバイスの2次元光学場分布
■LEDの自己放出スペクトルの電流依存性
■FDTDインターフェイス
■その他機能や詳細については、カタログダウンロード
もしくはお問い合わせ下さい。
■試用版のご希望は下記のお問い合わせからご連絡ください。 (詳細を見る)
InGaN/GaN量子ドットLEDシミュレータ
LEDデバイスを例に量子ドット(quantum dots)のモデルを解説。量子ドットサイズごとの発光スペクトル(EL spectrum)をシミュレーション。また、実験結果とも比較。量子輸送の有無によるI-V特性をシミュレーション、結果を比較。また、実験結果とも比較。量子効率の解析、比較。量子ドットの密度の違いによる量子効率や発光スペクトルを比較。また、量子ドット(quantum dots)と量子井戸(quantum wells)のLEDデバイスの特性を比較。 (詳細を見る)
【動画】半導体デバイス用2D/3D解析・設計ソフトAPSYS
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取扱会社 InGaN/GaN量子ドットLEDシミュレーション(InGaN/GaN Quantum Dot LED Simulation)
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