クロスライトのLEDシミュレーション研究(Crosslight LED Simulation Study)

＜主な特徴＞
■半導体デバイス用の汎用2D/3D有限要素解析・設計ソフトウェア
■半導体レーザを除くほとんど全てのデバイス設計・解析に適用可能
(半導体レーザは別製品LASTIPとPICS3Dでシミュレーションが可能)
■シリコン、化合物から成るデバイスの設計に用いることが可能

＜多様な物理モデルや機能＞
■電流-電圧(I-V)特性
■ポテンシャル、電場、電流の2次元分布
■流体力学モデルにおけるホット・キャリア温度の2次元分布
■熱輸送モデルで用いられる格子温度の２次元分布
■様々なバイアス条件のもとでのバンド図
■任意の周波数帯における交流微小信号応答解析の結果
■荷電子混合モデルを用いた量子井戸のサブバンド
■半導体中の深いレベルにトラップされた不純物占有数と密度の２次元分布
■光検出器などの光デバイスの２次元光学場分布
■LEDの自己放出スペクトルの電流依存性
■FDTDインターフェイス

■その他機能や詳細については、カタログダウンロード
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様々な物理モデル。（ウルツ鉱材料に応じた多重量子井戸(Multiple Quantum Wells)モデルに基づくk.p.理論。表面分極電荷(polarization surface charge)/自己無撞着モデル(self-consistent model)。量子井戸(quantum wells)または量子ドット(quantum dots)のための多体(Manybody)利得(gain)/自然放出(spontaneous emission)理論。非平衡量子輸送モデル(Non-equilibrium quantum transport model)。）InGaN/GaN MQWの青色LEDの特性における分極電荷の効果の有無を比較。（バンド図(band diagram)、ELスペクトル(EL spectrum)、I-V特性(I-V curve)、内部量子効率(IQE: internal quantum efficiency)）また、構造の最適化を検討。（インジウム(In: indium)組成の依存性、量子井戸(quantum well)数の依存性、量子井戸(well)/障壁層(barrier)の厚さ依存） （詳細を見る）

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