pドーピング窒化系シミュレーション(Simulation of p-doping in Group III Nitrides)

GaNおよびIII族窒化物にpドーピングを行うプロセスシミュレーションの事例

有機金属気相成長法(MOCVD)のプロセスシミュレーターPROCOMシミュレーションでp-タイプ伝導率の問題に取組む。膜成長中のMg取込みをコントロールするのが重要。シミュレーションは複雑なドーピングプロセスおよびMOCVDプロセスの最適化を補助。異なるタイプのアクセプターも本ソフトウェアによってシミュレーション可能。