一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
最終更新日：2021-05-11 10:36:11.0
集束イオンビーム_FIB_A0013
基本情報集束イオンビーム_FIB_A0013
FIB：Focused Ion Beam
FIBは、数nm～数百nm径に集束したイオンビームのことで、試料表面を走査させることにより、特定領域を削ったり（スパッタ）、特定領域に炭素（C）・タングステン（W）・プラチナ（Pt）等を成膜することが可能です。また、イオンビームを試料に照射して発生した二次電子を検出するSIM像により、試料の加工形状を認識できます。
・微小領域（数nm～数十μm）のエッチングによる任意形状加工が可能
（通常加工サイズ：～20μm程度）
・SEM・SEM-STEM・TEM像観察用試料作製（特定箇所の断面出しが可能）
・微細パターン（数μm～数十μm）のデポジション薄膜形成が可能（C・W・Ptの成膜）
・高分解能（加速電圧30kV：4nm）でのSIM（Scanning Ion Microscope）像観察が可能
・SIM像で金属結晶粒（Al, Cu等）の観察が可能
この資料では、適用例や原理、データ例などを紹介しています。
取扱会社 集束イオンビーム_FIB_A0013
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