株式会社イオンテクノセンター
最終更新日：2019-11-16 18:18:21.0
イオン注入シミュレーション
基本情報イオン注入シミュレーション
ご要望のイオン種や深さ、濃度に合わせてシミュレーションが可能です。
イオン注入シミュレーション
・シングルプロファイル
深さ、濃度から注入条件を計算
・ボックスプロファイル
多段注入条件の計算
その他のシミュレーション
・熱処理後の拡散
熱処理前後でのプロファイル計算
・多層構造の計算
SiO2等の膜厚最適化
（イオン注入のご依頼を前提としたサービスです）
イオン注入シミュレーション
お客様のご要望「ご希望の深さと濃度にするにはエネルギーと注入量をどれくらいにすればよいのか」や「ご指定のエネルギーと注入量でドーパントのイオンはどのような深さ分布となるか」に対して、シミュレーションをご提供することが可能です。
（イオン注入のご依頼を前提としたサービスです） （詳細を見る）
取扱会社 イオン注入シミュレーション
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