株式会社オプトロンサイエンス
最終更新日：2020-01-31 10:36:53.0
ゲイン可変フォトレシーバ (OE-200シリーズ) 2020/1
基本情報ゲイン可変フォトレシーバ (OE-200シリーズ)
OE-200 シリーズは、種々の微弱光の高速測定に最適なゲイン可変フォトレシーバです。
変換効率は 103 ～ 1011 V/W 範囲から設定でき、AC/DC カップリングも変更可能です。また手動と、PC による光アイソレートリモートの両方でコントロールできます。低ノイズなマルチステージアンプデザインと切替え可能な 10 Hz ローパスフィルタにより、最小 100 fW レンジまでの光パワーを高い精度で測定でき、信号の平均化も不要です。さらに高い安定性、ドリフトの低減、及び NIST 標準に基く校正により、最大ゲイン設定でも安定性の高い正確な測定を保証いたします。 産業プロセス管理や品質検査システムにおける高速フォトディテクタやロックインアンプシステム用光フロントエンドなどに最適です。また最大バンド幅は 500 kHz で、サブマイクロ秒までの時間分解測定にも利用できます。
ゲイン可変フォトレシーバ (OE-200シリーズ)
■変換効率は103～1011V/W範囲から設定でき、AC/DCカップリングも変更可能
■手動／PCによる光アイソレートリモートの両方でコントロール可能
■低ノイズなマルチステージアンプデザインと切替え可能な10Hzローパスフィルタにより、最小100fWレンジまでの光パワーを高い精度で測定でき、信号の平均化も不要
■高い安定性、ドリフトの低減、及びNIST標準に基づく校正により、最大ゲイン設定でも安定性の高い正確な測定を保証
■産業プロセス管理や品質検査システムにおける高速フォトディテクタやロックインアンプシステム用光フロントエンドなどに最適
■最大バンド幅は500kHzで、サブマイクロ秒までの時間分解測定にも利用できる （詳細を見る）
ゲイン可変フォトレシーバ (OE-300シリーズ)
■低ノイズ性能(NEP)は優れており、特に高域及び中域のゲイン設定で広帯域フォトレシーバのベンチマークを設定
■比較的大きなサイズの検出器は光学アライメントを容易にし、オプションで利用可能な光ファイバアダプタPRA-FC／SMAとともにSiモデルを使用する場合、非常に高い結合効率も保証
■102～108V/A(10進単位)の切り替えが可能なゲインは、ナノワットから最大10mWの光パワーまで、非常に広いダイナミックレンジで正確な信頼性の高い測定を可能にする
■切り替え可能なローパスフィルタ、オフセット調整、切り替え可能なAC/DCカップリング、PCによる手動及び光絶縁リモコン機能など、多くの追加機能により、OE-300は同クラスの最も汎用性の高い広帯域フォトレシーバ （詳細を見る）
フェムトワットフォトレシーバ (FWPRシリーズ)
■FWPR-20
・低ノイズなSi／InGaAsフォトダイオードと、非常にゲインが高く(最高:1012V/A)低ノイズなトランス
インピーダンスアンプと組合わせたフォトレシーバー
・非常に低いNEP値(最小:0.7fW/vHz)と、フェムトワットレンジの高い感度を達成
・フォトレシーバ単体での検出では、光パワー最小約50fWまで、さらにFemto社製ロックインアンプ
を組合わせればサブフェムトワットの高い感度が得られる
・非常に高感度なので、多くのアプリケーションで使用
・APD、PMT、冷却Geフォトダイオードの代替品として、高価な高電圧電源や冷却装置を付加すること
なく利用可能 （詳細を見る）
400kHz フォトレシーバ (LCA-S-400シリーズ)
■使用しているフォトダイオードはSi製またはInGaAs製で、波長域はそれぞれ400～1050nm、900～1700nm
■トランスインピーダンスは107V/Aで、最大変換利得はInGaAsモデルで9.5×106V/W @1550nm
■最小NEPは約75fW/Hzで、ナノワットレンジの光シグナルが余計な平均化をすることなく測定できる （詳細を見る）
200MHz フォトレシーバ (HCA-S-200シリーズ)
■ダイオードタイプはSi製／InGaAs製の二種類で、波長域はそれぞれ320～1000nm／900～1700nm
■トランスインピーダンスは2×104V/Aで、最大変換利得はInGaAsモデルで1550nmで2×104V/W
■洗練されたDCカップルマルチステージアンプ設計により、最小立上り時間1.8nsに相当するバンド幅DC～200MHzの測定が可能
■最小NEP値は約6pW/vHzで、μWレンジの光パワーシグナルも余計な平均化を行うことなく検出できる （詳細を見る）
2GHz フォトレシーバ (HSA-X-Sシリーズ)
■ダイオードタイプはSi製／InGaAs製で、波長域はそれぞれ320～1000nm／850～1700nm
■Si製モデルのHSA-X-S-1G4-SIは、ディテクタチップの前面にボールレンジを配置し、活性領域直径は0.8mm
■トランスインピーダンスは5×103V/A
■最小NEPはわずか14pW/vHzで、μWレンジの光パワーレベルでも測定可能 （詳細を見る）
400MHz フォトレシーバ (HCA-S-400シリーズ)
■ダイオードタイプはSi製／InGaAs製の二種類で、波長域はそれぞれ320～1000nm／900～1700nm
■トランスインピーダンスは5×103V/Aで、最大変換利得はInGaAsモデル1550nmで5×103V/W
■洗練されたDCカップルマルチステージアンプ設計により、最小立上り時間1nsに相当するバンド幅DC～400MHzの測定が可能
■低ノイズのため、数μWの光でも平均化を行わずに測定することができる
■入力はフリースペースまたはファイバカップル （詳細を見る）
FEMTO社製品用 USBインターフェース (LUCI-10)
■システムドライバ及びアプリケーションソフトウェア付属
■LabVIEW VIによりシステム組込みが簡単
■HLVA-100を除いたD-Sub25ピンのアンプ／フォトレシーバーに使用する事ができる （詳細を見る）
低ノイズケーブル(ノイズ不要) (CAB-LN1シリーズ)
■リボエレクトロニック／マイクロフォニックノイズを最小化
■1000倍のノイズレベル低減
■高シールドな同軸デザイン
■超高絶縁抵抗-＞1014Ω保証
■高品質なコネクタでアッセンブリ
■選べるケーブル(長さ：0.1～5.0m) （詳細を見る）
取扱会社 ゲイン可変フォトレシーバ (OE-200シリーズ)
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