アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社
最終更新日：2021-03-22 16:46:26.0
TSOI Wafer2020 ver
基本情報TSOI Wafer
一つのチップ上で高耐圧部とコンポーネンツを分離す るするなどといった誘電体分離技術を提供します。
隔離には厚い膜のSOI と高いアスペクト比の深いトレンチエッチおよび酸化膜とポリの埋め込み構造を使います。この技術には100~150mmのウエハー
サイズ、デバイスレイヤーは1.5-100um の厚みに適用可能です。
オプション供給できます
- 隔離マスクによる誘電体分離基板の供給
- アイスモスをファウンドリーとして事前に隔離プロセスが施さ
れた誘電体分離 IC のご提供
- Full IC デザインの供給とお客様の回路からの誘電体分離における製造後の隔離技術適用ができます
- Simple Bipolar
- CMOS (1P, 2M)
- BiCMOS (1P, 2M)
MEMS Trench SOI ウエハー（誘電体分離技術）
アイスモスは一つのチップ上で高耐圧部とコンポーネンツを
分離するなどといった誘電体分離技術を提供します。
隔離には厚い膜のSOIと高いアスペクト比の深いトレンチエッチ
および酸化膜とポリの埋め込み構造を使います。
この技術には100-150mmのウエハーサイズ、デバイスレイヤーは
1.5-100umの厚みに適用可能です。
【特長】
■埋め込み層をなくす
■高品質結晶のシリコン層
■エピ層をなくす
■寄生キャパシターを最小化
■P＋隔離をなくす
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 （詳細を見る）
技術シリコンウエハー基板とファウンドリーサービス
アイスモス・テクノロジーはMEMSや高度なエンジニアリング基板を提供するベストインクラスのサプライヤーです。
20年以上の経験をもとに、卓越した製造スキルと最新の技術的な開発で、アイスモスはすべてのお客様がお問合せから製品を受け取るまで優れたサービスをうけることをお約束します。 革新的な製品開発、デザインのご提案、特別なサービスなどエンジニアチームが技術的にサポートいたします。
既存製品がリストにない場合には、お客様とともに独自の特別な製品を開発もいたします。
それが弊社の強みとなるサービスです。
SOI = Silicon on Insulator
SiSi = Silicon Silcon bonded
DSOI= Double SOI
DSP=Double Sided Polished
CSOI=Cavity SOI
Thin SOI
TSOI=Trench SOI
TSV=Through-Silicon Vias
ファウンドリーサービス
是非お気軽にお問合せ下さい。
http://jp.icemostech.com/products.html （詳細を見る）
取扱会社 TSOI Wafer
【取扱品目】 ■技術シリコン基板の製造、ファウンドリーサービス SOI = Silicon on Insulator SiSi = Silicon Silcon bonded MEMS = Microelectromechanical Systems DSOI= Double SOI DSP=Double Sided Polished CSOI=Cavity SOI Thin SOI TSOI=Trench SOI TSV=Through-Silicon Vias ■スーパージャンクションMOSFET(>600V,>650V) 特長: 低オン抵抗 超低ゲート電荷量 耐高dv/dt特性 高耐アバランシェ特性 耐高ピーク電流特性 増相互コンダクタンス特性 アプリケーション: 産業用電源、充電器 データセンター、サーバー、クラウド、PC、Tablet 屋内外の電灯 : HID 、LED電灯 LED TV Driver ,動力電源 太陽光発電 HV,EV 充電器
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