SEMの観察条件による見え方の違い

SEM観察は、試料表面に照射した電子が試料の極表層で散乱することで
発生する二次電子や反射電子を検出器で捉え、像としてモニターに
映し出しています。

電子を捉える検出器には種類があり、それぞれの特長を生かした像が
得られ、加速電圧を変えることで見え方も変わります。

当資料では、各種条件下で撮影したSEM像をご紹介。
ぜひ、ご一読ください。

【掲載内容】
■反射電子像
・高加速電圧による反射電子像(AsB検出器)
・低加速電圧による反射電子像(EsB検出器)
■二次電子像
・加速電圧による見え方の違い
・検出器の位置による見え方の違い

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 （詳細を見る）

SEM-EDX分析時の加速電圧の違いによる検出感度についてご紹介します。

一般的なプリント基板（PCB基板）のAuめっき表面を分析した際、下層のNiが
露出していないにも関わらず検出される場合があります。

これは電子線の散乱深さに関連性があり、正しい分析結果を得るには適切な
加速条件を設定する必要があります。

今回、モンテカルロシミュレーションを用いて加速電圧の違いによる
EDX検出深さについて確認を実施。

今回はほんの一例に過ぎませんが、正しい分析結果を得るには電子が
どのように散乱しているか想像しながら加速電圧を設定することが大切です。

【テスト基板概要】
■試料は一般的なプリント基板（PCB基板）のAuめっきパッドを用いた
■層構成はCu配線上にNiめっき/Auめっきが施されたもの
■Auめっきの厚みは断面観察より、212nm

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ZEISS製の「FE-SEM ULTRA55」は、GEMINIカラムを搭載しており、
極低加速電圧で高分解能観察が可能な装置です。

検出器も複数搭載されており、さまざまなサンプルの観察が可能。

2種類の反射電⼦検出器による組成情報の把握ができ、低加速電圧でも
⾼分解能なEDX分析ができます。

【特長】
■⾼輝度電⼦銃による緻密なSEM画像
■極低加速電圧による極表⾯分析
■表⾯情報に敏感なインレンズSE検出器を装備
■2種類の反射電⼦検出器による組成情報の把握
■低加速電圧でも⾼分解能なEDX分析
■無蒸着による観察

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アイテスでは電子部品、実装基板、半導体、化合物半導体、パワーデバイス、
フィルム、樹脂成形品、太陽パネル、液晶ガラスなど
さまざまな部品・材料の断面を受託加工作製します。

また作製した断面の観察や分析を行い、不良解析や出来栄え評価などを
受託分析いたします。

【サービス一覧】
■機械研磨
■CP加工
■ミクロトーム
■FIB加工
■半導体拡散層の解析　など

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試料の観察には光学顕微鏡とSEM（走査電子顕微鏡）がよく用いられますが、
それぞれ特長があるので目的に応じた装置を選択する事が大切です。

当資料では、光学顕微鏡とSEMを同じサンプルで比較し一般的に言われている
メリット、デメリットをご紹介。

ぜひ、ご一読ください。

【掲載内容】
■光学顕微鏡の特長
・メリット／デメリット
・こんな観察にお勧め
■SEM（走査電子顕微鏡）の特長
・メリット／デメリット
・こんな観察にお勧め

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