飛行時間型原子散乱表面分析装置『TOFLAS-3000』

『TOFLAS-3000』は、金属、半導体、絶縁体などの固体表面の結晶構造および
元素分析を同時に行うことができる原子散乱表面分析装置です。

本装置は同軸型直衝突イオン散乱分光法（CAICISS）を発展させ、電気的に中性なHe(Ne、Ar)等の原子ビームを探査プローブとして用いている為、絶縁体でも帯電の影響がなく安定した表面分析が可能です。

結晶表面構造解析では、入射角の全方位スキャンの実施により結晶表面に固有のパターンが得られ、表面構造の判定を視覚的に容易に行うことができます。

【特長】
■結晶方位や対称性あるいは極性結晶の表裏などが視覚化される
　※ウルツ鉱構造の結晶(GaNやAlN等)の表裏判別も容易
■表面近傍の層毎の元素分析と結晶構造解析が簡単
　※極薄膜の解析も可能
■極点図シミュレーションと同期させれば、“見て来た様に”操作できる
■絶縁体試料や有機分子膜などの配向決定等にも問題なし
■SIMSの同時計測により、不純物の高感度評価(TOFスペクトルと相補的)

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
※依頼分析も賜っております。 （詳細を見る）

『TOFLAS-3000』は、金属、半導体、絶縁体などの固体表面の結晶構造および
元素分析を同時に行うことができる原子散乱表面分析装置です。

本装置は同軸型直衝突イオン散乱分光法（CAICISS）を発展させ、電気的に中性なHe(Ne、Ar)等の原子ビームを探査プローブとして用いている為、絶縁体でも帯電の影響がなく安定した表面分析が可能です。

結晶表面構造解析では、入射角の全方位スキャンの実施により結晶表面に固有のパターンが得られ、表面構造の判定を視覚的に容易に行うことができます。

【特長】
■結晶方位や対称性あるいは極性結晶の表裏などが視覚化される
　※ウルツ鉱構造の結晶(GaNやAlN等)の表裏判別も容易
■表面近傍の層毎の元素分析と結晶構造解析が簡単
　※極薄膜の解析も可能
■極点図シミュレーションと同期させれば、“見て来た様に”操作できる
■絶縁体試料や有機分子膜などの配向決定等にも問題なし
■SIMSの同時計測により、不純物の高感度評価(TOFスペクトルと相補的)

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
※依頼分析も賜っております。 （詳細を見る）