小規模生産・開発用常圧CVD(APCVD)装置 (D501) カタログ

試作・開発・小ロット生産向け　NSG(SiO2)/BSG/PSG/BPSG膜成膜用　バッチ式(複数枚同時処理)APCVD装置

D501は、少量生産/テストや不定形基板へのシリコン酸化膜(SiO2膜)の成膜を目的とした、バッチ式(複数枚同時処理)の常圧CVD装置(APCVD装置)です。

大型トレーに複数枚ウェハをマニュアル装填し、トレーがディスパージョンヘッド(ガスノズル)下を往復させ成膜を行います。
常圧CVD(APCVD)の特色はそのまま、手軽に成膜が可能す。
●納入実績
　・国内外半導体デバイス/オプトデバイスメーカー
　・大学/研究機関
●装置サイズ(mm): 1200mm(W) x 2480mm(D) x 1940mm(H)
●ガス種: SiH4/O2系 (SiH4/PH3/B2H6/O2/N2)
　　　　 TEOS/O3系 (TEOS/TMOP/TEB/O3/O2/N2)(オプション)
　　　　 SiH4/O3系 (SiH4/PH3/B2H6/O3/O2/N2)(オプション)
●成膜温度: 350～430℃（SiH4/O3系 150～300℃)

※詳しくはお問い合わせいただくか、カタログをダウンロードしてご覧下さい。