アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社 企業イメージ
当社は、電源に高いパフォーマンスを発揮する高耐圧のパワーMOSFETおよびMEMS技術プロセス、高度な技術基盤ウエハーやSOI（シリコンオンインシュレーター）、貼り付けシリコン基板を、高い費用対効果で提供するベストインクラスのサプライヤーとして2004年に設立いたしました。(米国本社、英国製造拠点、東京R＆D拠点）
革新的な深いトレンチエッチを持つMEMS構造の高耐圧スーパージャンクションMOSFETを、シンプル且つ低コストプロセスで開発、実現しました。
ご要望の際はお気軽に、お問い合わせください。
【取扱品目】
■技術シリコン基板の製造、ファウンドリーサービス
SOI = Silicon on Insulator
SiSi = Silicon Silcon bonded
MEMS = Microelectromechanical Systems
DSOI= Double SOI
DSP=Double Sided Polished
CSOI=Cavity SOI
Thin SOI
TSOI=Trench SOI
TSV=Through-Silicon Vias
■スーパージャンクションMOSFET(>600V,>650V)
特長:
低オン抵抗
超低ゲート電荷量
耐高dv/dt特性
高耐アバランシェ特性
耐高ピーク電流特性
増相互コンダクタンス特性
アプリケーション:
産業用電源、充電器
データセンター、サーバー、クラウド、PC、Tablet
屋内外の電灯 : HID 、LED電灯
LED TV Driver ,動力電源
太陽光発電
HV,EV 充電器
詳細情報
製品・サービス（25件）一覧
カタログ（23件）一覧
ニュース（29件）一覧
-
-
-
2024-04-24 00:00:00.0
半導体技術企業アイスモステクノロジー社、 英国政府よりわずか10社の例外的輸出企業のうちの1社として 「Made in UK, Sold to World」賞を受賞 ★アイスモス・テクノロジ…
-
-
-
-
2024-01-12 00:00:00.0
北アイルランド投資サミット ■従業員の成⻑資金とグローバルなマーケティングおよび販売拠点拡⼤のための追加資本 ■ IPO前の資金調達により、同社の時価総額は1億100万ドル（8000万ポン…
-
-
-
-
2023-12-06 00:00:00.0
Event 21-23 November UK Space conference
北アイルランドにおきまして、UK Space Conferenceが開催されました。 NI SPACEはUK Space Conferenceにおいて、北アイルランドエリアがいかにしてUK Spac…
-
アイスモス・テクノロジー・ジャパンへのお問い合わせ
お問い合わせ内容をご記入ください。
