【基礎知識】CMP(化学的機械研磨)とは

CMP(化学的機械研磨)の基礎について説明いたします。

■ 意味・定義
CMP(Chemical Mechanical Polishing (※Planarizationとする場合もある))は、化学的機械研磨の意味です。
砥粒などの粒子による機械的な除去作用と加工液による化学的な溶去作用を組合わせた研磨手法で、極めて平坦な表面を得る精密加工技術。

■ 目的
1. 平坦化(Planarization)
・半導体デバイスの信頼性・速度・歩留まり向上
・リソグラフィーのフォーカスマージン確保による多層配線・微細化の実現

2. 鏡面加工(Polishing)
・ウェハーなどの表面をナノレベルの表面粗さに
・スクラッチやパーティクルなど表面欠陥の低減
・歩留まり向上による低コスト化


以上のように半導体の配線形成工程や、シリコンウェーハやガラス基板などの鏡面加工に使われている技術ですが、半導体の後工程(実装)や電子部品など新しい分野でも検討が始まっている技術です。