高純度のGaAsポリ（Poly）をご提供いたします。
又、Φ2”～Φ4”の単結晶GaAsインゴット、ウェハーもご提供いたします。
基本情報単結晶GaAsウエハ GaAsポリ
＜GaAs単結晶＞
製法：VGF
サイズ：Φ2”～Φ4”
タイプ：N
結晶方位：（100）、他
Mobility：≧2000cm2/v.s（アンドープ型は、≧4000cm2/v.sなど）
厚み：295μm（ご指定可能です）
表面仕上げ：エピーレディー研磨
※インゴットもご提供可能です。
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＜GaAsポリ＞
製法：HB
純度：6N
タイプ：N型
Mobility（cm2/v.s）≧4500
キャリア濃度(/cm-3)：1E15～1E16
形状：D型
サイズ：60x45x400mmL（ご指定可能です）
http://www.doujinsangyo.jp/products/GaAs.html
| 価格帯 | 1万円 ~ 10万円 |
|---|---|
| 納期 | ~ 1ヶ月 |
| 用途／実績例 | 各種デバイス基板： 高周波デバイス、発光デバイス、磁電用、受発光や耐放射線用、他 |
取扱企業単結晶GaAsウエハ GaAsポリ
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【結晶材料】 シリコン、サファイア、SiC、GaN、GaAs、InP、CaF2、MgF2、LiF、BaF2、LiNbO3（LN）、LiTaO3（LT）、水晶、YAG、ダイヤモンド、LBO、BBO、その他特殊結晶 【Epiウェハー・MOCVD］ GaN on Sapphire、GaN on Silicon、GaN on SiC、GaN on GaN、GaN on GaAs など 【光学ガラス】 合成石英、溶融石英、テンパクス、パイレックス、イーグルXG、D263、BK7、白板、青板、FTO（導電性ガラス）、ケミカル強化ガラス（ゴリラ、ドラゴン）、他 【セラミックス】 アルミナ、ジルコニア、炭化ケイ素、窒化ケイ素、AlN、BN、PBN、B4C、他 【ウェハーケース】 種類：カセットケース、シングルケース、洗浄ケース、マスクケース、ウェハーリングBOX、他 【研磨材】 種類：ダイヤモンドパウダー、炭化ホウ素（B4C）パウダー、アルミナパウダー、他 【機械設備】 種類：マルチワイヤソー、シングルワイヤソー、レーザー加工機、他
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