株式会社ノベルクリスタルテクノロジー 【技術資料】超低損失酸化ガリウム ショットキーバリアダイオード
- 最終更新日：2019-01-15 15:28:51.0
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開発したデバイスの大電流駆動化を進め、2021年度からの製品化を目指します。
当技術資料は『超低損失酸化ガリウム ショットキーバリアダイオード』
について掲載しています。
当社では、市販のSiC製ショットキーダイオードよりも順方向損失を
最大で40％低減することに成功しました。
開発したデバイスの大電流駆動化を進め、2021年度からの製品化を目指します。
また「酸化ガリウム トレンチMOSFET」についてもご紹介しています。
【掲載内容】
■超低損失酸化ガリウム ショットキーバリアダイオード
■酸化ガリウム トレンチMOSFET
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
基本情報【技術資料】超低損失酸化ガリウム ショットキーバリアダイオード
【当社の功績】
■超低損失酸化ガリウム ショットキーバリアダイオード
・市販のSiC製ショットキーダイオードよりも順方向損失を最大で
40％低減することに成功
■酸化ガリウム トレンチMOSFET
・酸化ガリウムホモエピタシャル膜を用いた、低損失トレンチMOS型
パワートランジスタの動作実証に成功
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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カタログ【技術資料】超低損失酸化ガリウム ショットキーバリアダイオード
取扱企業【技術資料】超低損失酸化ガリウム ショットキーバリアダイオード
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■酸化ガリウムエピタキシャルウエハ(エピウエハ)の製造販売 ■単結晶およびその応用製品の製造販売 ■半導体およびその応用製品の製造販売
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