高効率なため運用コストも削減可能。高い電力密度をもつパワーモジュール
Infineon Technologies社の『Easy 1B, 2B』は、SiC MOSFETを搭載した
パワーモジュールです。
低浮遊インダクタンスの標準となったEasyパワーモジュールの特長と、
インフィニオンの1200V CoolSiC MOSFETチップの特長を組み合わせる
ことで、システムコストおよび運用コストを削減できます。
短絡耐性が求められるアプリケーションですぐに使用可能な製品です。
【特長】
■Siに比べスイッチング損失を約80％低減
■線形出力特性による低伝導損失
■EasyパッケージのCoolSiC MOSFETの市販品ラインアップが豊富
■ゲート酸化膜の優れた信頼性
■逆回復電荷が低いボディダイオード
■Vth 4V以上の高い閾値電圧
■短絡耐量2μs
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
基本情報モジュール『Easy 1B, 2B』
【その他特長】
■スイッチング周波数が2～3倍高いことによりシステムコストを削減
■高効率なため運用コストも削減可能
■3種類のトポロジーの利用が可能なため、アプリケーション要件に合わせた
インバータ設計が可能
■インバータシステムの長寿命化、および長期安定性
■高い電力密度
■寄生ターンオンに対する高い堅牢性
■短絡耐性が求められるアプリケーションですぐに使用可能
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
| 価格帯 | お問い合わせください |
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| 納期 | お問い合わせください |
| 用途／実績例 | 【用途】 ■ソーラー発電 ■UPS（無停電電源装置） ■エネルギー貯蔵 ■EV充電 ■医療 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 |
カタログモジュール『Easy 1B, 2B』
取扱企業モジュール『Easy 1B, 2B』
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■電子部品販売 ・パワー半導体 ・センサー ・モータ ■ソフト開発及び電子機器の設計・製造・販売
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