『高耐圧シングルチャネル絶縁型ゲートドライバGaN IC』旭テック

高効率・高耐圧GaNスイッチ研究開発にかかる労力、時間を削減

Infineon Technologies社の当製品は、高効率な市販のシングルチャネル絶縁型窒化ガリウム(GaN) EiceDRIVER ICを使用して、GaN HEMTを駆動させます。

CoolGaN エンハンスモードHEMTは、インフィニオンのEiceDRIVER ICの
1EDF5673K, 1EDF5673F, 1EDS5663Hを使用することで、好適な駆動を
実現できます。

【特長】
■低抵抗出力ソース: 0.85Ω、シンク: 0.35Ω
<シングルチャネル・ガルバニック絶縁>
■機能絶縁：VIO= 1500VPC
　・VIOWM = 510Vrms (16-pin DSO)
　・VIOWM = 460Vrms (LGA 5x5)
■強化絶縁
　・VIOTM = 8000Vpk(VDE 0884-10 未決定)
　・VIOWM = 1420 VDC
■最小同相過渡電圧耐性 (CMTI)： 200V/ns
■タイミング
　・最小出力パルス幅：18ns
　・伝搬遅延精度：13ns

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

基本情報『高耐圧シングルチャネル絶縁型ゲートドライバGaN IC』

【その他特長】
■正・負のゲート駆動電流：高速ターンオン/オフ GaNスイッチスルーレート
■オフの期間、ゲート電圧ゼロを保持
■ガルバニック絶縁内蔵

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

価格帯	お問い合わせください
納期	お問い合わせください
用途／実績例	【用途】 ■サーバー ■テレコム DC/DC ■データ通信 ■アダプター ■充電器 ■ワイヤレス充電器 ■SMPS ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。