装置の小型化、高効率に貢献 SiCパワーモジュール
(株)三社電機製作所のパワーモジュール技術とパナソニック(株)の
SiC (炭化ケイ素)パワートランジスタ技術により、小型高信頼性SiC
パワーモジュールを共同開発
SiC(シリコンカーバイド)パワーデバイスは低損失、高速動作が可能となり大電流、高電圧用途での省エネ化に貢献
新開発Techno Block(*1)パッケージ技術により、信頼性、低損失、小型化を実現
=特長=
■ 高温動作時も低損失
■ 高いゲートしきい値電圧で誤動作を抑制
■ Tj=150℃
■ ダイオード機能内蔵DioMOS(*2)チップ採用で小型低背・大容量
■ 従来品比較で体積約1/3
■ 長期信頼性の高い両面はんだ接合、トランスファーモールドを採用した新開発パッケージ Techno Block
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基本情報SiC (MOSFET/SBD) モジュール
三社電機製作所 SiC (MOSFET SBD)モジュール
SiC MOSFET
1200V / 100A / 6.0mΩ(typ)
1200V / 150A / 4.0mΩ(typ)
*1 : Techno Blockは三社電機製作所の高放熱、トランスファーモールドパッケージ
*2 : DioMOS (Diode-integrated MOSFET) はパナソニックのSiCデバイス構造のMOSFET
| 価格帯 | お問い合わせください |
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| 納期 | お問い合わせください |
| 型番・ブランド名 | SiCモジュール |
| 用途／実績例 | - 産業用インバータ - DC-DCコンバータ - EV充電器 - 高出力共振電源 |
カタログSiC (MOSFET/SBD) モジュール
取扱企業SiC (MOSFET/SBD) モジュール
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■電子部品販売 ・パワー半導体 ・センサー ・モータ ■ソフト開発及び電子機器の設計・製造・販売
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