高温イオン注入・高温アニール受託サービス【SiC、GaN等】イオンテクノセンター

SiC等のデバイス作製に適した高温イオン注入や、ドーパント活性化のための高温アニール処理が対応可能です！

SiC（シリコンカーバイド）、GaN（窒化ガリウム、ガリウムナイトライド）等の化合物半導体では、デバイス作製に適した高温イオン注入やドーパント活性化のための高温アニールが必要とされます。弊社では、高温イオン注入や高温アニールのリクエストにお応えします。

また、アニール時の温度が高温のため、アニール前のキャップ膜による表面保護が必要になります。弊社では高温アニールだけでなく、PBII（Plasma Based Ion Implantation)を使ってカーボンキャップ膜成膜のニーズにもお応え致します。

【掲載内容】
高温イオン注入
キャップ膜成膜
高温アニール処理
※詳しくはPDFをダウンロードいただくか、お問い合わせください。

関連リンク - https://iontc.co.jp/project/anneal/

基本情報高温イオン注入・高温アニール受託サービス【SiC、GaN等】

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用途／実績例	半導体への高温イオン注入、高温アニールでは国内企業様、大学様に多くご利用いただいております。