高温イオン注入・高温アニール

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基本情報高温イオン注入・高温アニール

SiC等のデバイス作製に適した高温イオン注入、キャップ膜成膜や高温アニール処理といった一連の処理を弊社で行うことが可能です。

高温イオン注入
・600度までの高温注入
・チップ小片～150mm（6インチ）径ウエハに対応
・注入ダメージ軽減に有効

キャップ膜成膜
・C2H2を反応させ、DLC膜を成膜
・チップ小片～150mm (6インチ）径ウエハに対応
・アニール処理による表面荒れの緩和に有効

高温アニール処理
・最大1800度のアニール処理
・チップ小片～150mm（6インチ）径ウエハに対応
・様々な化合物半導体へ対応

高温イオン注入・高温アニール受託サービス【SiC、GaN等】

SiC（シリコンカーバイド）、GaN（窒化ガリウム、ガリウムナイトライド）等の化合物半導体では、デバイス作製に適した高温イオン注入やドーパント活性化のための高温アニールが必要とされます。弊社では、高温イオン注入や高温アニールのリクエストにお応えします。

また、アニール時の温度が高温のため、アニール前のキャップ膜による表面保護が必要になります。弊社では高温アニールだけでなく、PBII（Plasma Based Ion Implantation)を使ってカーボンキャップ膜成膜のニーズにもお応え致します。

【掲載内容】
高温イオン注入
キャップ膜成膜
高温アニール処理
※詳しくはPDFをダウンロードいただくか、お問い合わせください。（詳細を見る）

取扱会社高温イオン注入・高温アニール

株式会社イオンテクノセンター

1.受託物理分析 2.イオン注入加工

公式サイト

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