化合物半導体エピタキシャル InP基板上にカスタム構造のMBE / MOCVDエピタキシャル成長を提供します。
2インチから4インチまでのInP基板にカスタム構造のMOCVDエピタキシャル成長を提供しています。
エピタキシャル構造設計、エピタキシャル材料、テスト分析など企業、大学、科学研究機関にInPエピタキシャル基板の全面的なサービスを提供しています。
基本情報InP Based Epi Wafer
◆FP レーザー
波長範囲(~1310nm; ~1550nm；~1900nm)
◆DFB レーザー
波長範囲(1270~1630nm)
◆アバランシェフォトディテクター(APD)
波長範囲(1250~1600nm)
◆フォトディテクター(PD)
波長範囲(1250nm~1600nm)
>2.0um (InGaAS吸収層)；<1.4μm (InGaAsP吸収層)
| 価格帯 | お問い合わせください |
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| 納期 | お問い合わせください |
| 用途／実績例 | ◆FP レーザー ◆DFB レーザー ◆アバランシェフォトディテクター(APD) ◆フォトディテクター(PD) |
取扱企業InP Based Epi Wafer
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半導体パッケージ(Semiconductor PKG) InPエピタキシャル(Epitaxial growth) GaAsエピタキシャル(Epitaxial growth) 研磨材(ダイヤモンドパウター) 基板・インゴットの販売
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