様々なエンプラ材料への平滑なめっきを、ダイレクトに形成させる技術・用途開発に取り組んでおります。 試作対応しています。
【特徴】
・現在、ポリイミド(PI)、テフロン(PTFE)上にめっきが可能。
・PIは平滑なめっき被膜の形成が可能です。(PTFE等を開発中)
【技術要旨】
樹脂とめっき被膜の密着性確保のために、粗化によるアンカー効果ではなく化学結合層の成膜による工法を開発中です。
[従来技術]
アンカー構造により樹脂と無電解めっき層が密着
[新技術(開発中)]
強力な化学結合を介して、樹脂と無電解めっき層とが密着
【開発中技術の利点まとめ】
エンプラ系を中心とした様々な樹脂に、平滑なめっき被膜をダイレクトにめっきさせることを目指しております。
[従来技術]
密着メカニズム:アンカー構造
密着強度:強度小
適用材料:ABSなどに限定(粗化が可能なものに限定)
めっき面の平滑性:粗い(アンカー構造の凹凸が残る)
環境対応:6価クロム化合物使用
[新技術(開発中)]
密着メカニズム:化学結合
密着強度:強度大
適用材料:多種の樹脂やセラミックにも適用可
めっき面の平滑性:平滑、鏡面が可(アンカー構造不要)
環境対応:クロムフリー
基本情報エンプラ樹脂へのダイレクトめっき(メッキ用途開発のご紹介)
【めっき仕様(開発・試作実績)】
・無電解ニッケル-ボロン(Ni-B):~0.2μ
・無電解めっき上に電解銅めっき(Cu):10~20μ
・樹脂の材質:ポリイミド(PI)、テフロン(PTFE)
【取り組んでいる課題】
・PTFEを粗化させずにめっき
・液晶ポリマー(LCP)、シクロオレフィンポリマー(COP)、ポリフェニレンエーテル(PPE)、ポリフェニレンサルファイド(PPS)、パーフルオロアルコキシアルカン(PFA)等へのめっき
※NDA締結による共同での用途開発など、お気軽にご相談ください。
価格帯 | お問い合わせください |
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納期 | お問い合わせください |
用途/実績例 | 5G関連部材(高周波・ミリ波通信用)を想定しています。 |
カタログエンプラ樹脂へのダイレクトめっき(メッキ用途開発のご紹介)
取扱企業エンプラ樹脂へのダイレクトめっき(メッキ用途開発のご紹介)
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