セーレンＫＳＴ株式会社 SOIの試作・受託生産サービス（ウェハの研削・研磨・接合）
- 最終更新日：2022-02-14 14:35:15.0
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試作対応 少量対応 4～8inch対応 厚み･形状の任意設定可能 基板手配可能 支給基板対応 短納期
SOIウェハーとは酸化膜上にシリコン単結晶層を形成した構造のシリコンウェハーで、高速LSI、低消費LSI、パワーデバイス、MEMSなど幅広い分野で使われております。
当社は一般的なSOI以外にもCavity SOIウェーハやThick-BOX SOIウェーハと言った特殊なSOIウェーハも提供しております。
＜対応範囲＞
■対応サイズ：6"8"
■活性層膜厚：100nm～200μm
■面内厚み精度：薄膜±15nm～ 厚膜±0.5μm
■BOX層厚：最大20μm
【各種SOIウェハー特長例】
■MEMSデバイス製造の工数削減
■歩留率の向上
■ダイシング後の後工程を削減
■高耐圧な半導体パワーデバイスを早期実現
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基本情報SOIの試作・受託生産サービス（ウェハの研削・研磨・接合）
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カタログSOIの試作・受託生産サービス（ウェハの研削・研磨・接合）
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