Structured SOI Wafers

SOIウェハーとは酸化膜上にシリコン単結晶層を形成した構造のシリコンウェハーで、高速LSI、低消費LSI、パワーデバイス、MEMSなど幅広い分野で使われております。

当社は一般的なSOI以外にもCavity SOIウェーハやThick-BOX SOIウェーハと言った特殊なSOIウェーハも提供しております。

＜対応範囲＞
■対応サイズ：6"8"
■活性層膜厚：100nm～200μm
■面内厚み精度：薄膜±15nm～　厚膜±0.5μm
■BOX層厚：最大20μm

【各種SOIウェハー特長例】
■MEMSデバイス製造の工数削減
■歩留率の向上
■ダイシング後の後工程を削減
■高耐圧な半導体パワーデバイスを早期実現

※詳しくPDFダウンロードして頂くか、お気軽にお問い合わせください。 （詳細を見る）

当社は設立以来、一貫としたシリコンウェハーへの酸化膜加工を行っています。
試作などの少ロットから量産移行後の数量までお応えできます。
また、膜厚についても、他の企業ではマネのできない厚膜加工まで取り揃えており、お客様のあらゆるニーズにもお応えできるようにしております。

特に、当社独自の厚膜熱酸化膜形成技術は光通信を支える光デバイスに欠かす事のできない材料となっており、当社の製品･技術が世界の通信機器メーカーや光部品メーカーに採用されています。
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シリコンウェーハ、石英ウェーハ、化合物ウェーハ、ガラス基板など、お客様のニーズにお応えできるようＫＳＴのネットワークが世界中に張り巡らされています。
もちろんカスタムメイドの対応も可能です。
当社は、お客様のご使用用途に合わせて最もコストパフォーマンスの高い製品を提案するとともに、自社クリーンルーム内での品質評価のもと、ご提供しておりますので、お客様にはご安心してお使いいただいております。 （詳細を見る）