Ion Beam Delayering装置/半導体物理解析伯東

半導体故障解析歩留まり解析リバースエンジニアリングマイクロディスプレイの故障解析

半導体故障解析における材料層の層剥離や除去に対して、迅速な結果を提供する費用対効果の高いソリューションです。広い面積にわたって、優れた均一性と最小限のダメージを実現します。複数のイオンビームエッチング技術を使用することにより、単一層の異なる材料のエッチングレートを一致させることができ、化学組成に関係なく層全体を均一に除去することが可能です。

基本情報Ion Beam Delayering装置/半導体物理解析

マイクロエレクトロニクス市場では、より高性能で高密度の半導体を求める動きがあり、最近の設計では層厚を薄くし層内の構造をコンパクトにしています。しかし、このようなチップに従来の加工技術を適用することは手間とコストがかかる上に、エラーが発生しやすくなります。

機械的な試料作成が困難なため、デバイスの遅延処理アプリケーションにはビームベースの技術が出現しています。Ion Beam Delayering（イオンビームディレイヤイング）では、大面積の試料作製が可能であり、正確かつ制御された物理解析の処理プロセスを実現することができます。

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型番・ブランド名	Infinity FA systems
用途／実績例	半導体故障解析歩留まり解析リバースエンジニアリングマイクロディスプレイの故障解析