株式会社大同分析リサーチ SEM-ECCI法によるGaNの転位観察
- 最終更新日:2024-02-16 14:04:56.0
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当社では、SEM-ECCI法によるGaNの転位観察を行っております。
窒化ガリウム(GaN)等のパワー半導体において、製造時に含まれる転位は
デバイス性能の低下や短寿命化の要因とされています。
半導体の転位観察は主に透過電子顕微鏡(TEM)やエッチピット法が用いられますが、
SEM-ECCI法を用いると容易な前処理で観察可能となります。
【測定事例】
■供試材:単結晶GaN(サファイア基板上にGaNを成膜したウェハ)
■面方位:C面(0001)±0.5°
■GaN膜厚:4.5±0.5μm
■測定条件:後方散乱モード
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基本情報SEM-ECCI法によるGaNの転位観察
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用途/実績例 | 【用途】 ■SEM-ECCI法によるGaNの転位観察 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 |
カタログSEM-ECCI法によるGaNの転位観察
取扱企業SEM-ECCI法によるGaNの転位観察
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【事業内容】 ◆無機分析 (鉄鋼、非鉄金属、耐火物、セラミックス等) ◆有機分析(樹脂、ゴム、油脂等);高分子化合物の特定、解析、成分分析 ◆物理測定;極表層の表面分析、構造解析*走査型電子顕微鏡、EPMA、X線回折、オージェ電子分光分析装置を装備 ◆材料評価(金属、セラミックス、複合材等の機械特性、高温特性、疲労特性を評価) 1)欠陥調査→ X線透過試験 2)腐食試験→残留応力、各種耐食性試験、熱分析、非破壊検査 3)一般的な室温・高温条件での機械試験・熱処理 4)高温材料特性(熱膨脹・連続冷却変態・高温ヤング率・クリープ疲労試験)、熱特性試験(示差熱分析) 5)磁気特性(電気抵抗・透磁率・B‐H特性試験) 6)粉体試料試験(粒度・密度・気孔率測定) ◆EVモーターの分解調査;部品の取り出しから材料分析まで ◆技術開発調査用の実験試料作成;鉄鋼、Ti合金、超合金、次世代金属材料の溶製・分析試験・金属物性試験 ◆環境分析;土壌、産業廃棄物、水質分析・粉塵測定、作業環境測定
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