Semi Next株式会社 パワーデバイス『ウエハーレベル バーンイン』
- 最終更新日:2023-07-28 17:46:15.0
- 印刷用ページ
完全なハードウェアで各回路を保護!最大6枚、または12枚のウエハーの同時バーンインに対応
『wafer level burn-in』は、GaN、SiCデバイスをウェーハでバーンインでき、パワーモジュールの検査ロースを大幅にカットできる設備です。
最大6枚、または12枚のウエハーの同時バーンインに対応できます。
また、治具ごとに独立でburn-in条件設定が可能。完全なハードウェアで
各回路を保護します。
【特長】
■GaN、SiCウェーハのバーンインに好適
■治具ごとに独立でburn-in条件設定が可能
■ウェハー上のすべてのチップを同時に電源投入してバーンイン可能
■HTGB電圧±75V、HTRB電圧2000V(アップグレード可)
■Igss、Idss、Vth、Idson検査に対応
■温度範囲 RT-200C
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
基本情報パワーデバイス『ウエハーレベル バーンイン』
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
価格帯 | お問い合わせください |
---|---|
納期 | お問い合わせください |
用途/実績例 | ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 |
カタログパワーデバイス『ウエハーレベル バーンイン』
取扱企業パワーデバイス『ウエハーレベル バーンイン』
パワーデバイス『ウエハーレベル バーンイン』へのお問い合わせ
お問い合わせ内容をご記入ください。