インフィニオン テクノロジーズ ジャパン 株式会社 低オン抵抗領域の1200V CoolSiC MOSFET
- 最終更新日:2024-04-03 11:41:57.0
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容易な設計および実装!ゲートドライバー技術で最高クラスのパフォーマンスを実現
TO247パッケージの『CoolSiC 1200V SiC MOSFET』に新たに登場した
「低オン抵抗領域7mΩ/14mΩ/20mΩ」は、最適化された先端のトレンチ
半導体プロセスに基づいて構築され、性能と信頼性を両立した製品です。
放熱性能15%向上し、単一デバイスで最高レベルの出力密度を実現。
実績済みの強化パッケージによる堅牢性で高信頼性を提供します。
また、設計が容易で、市場投入までの時間を短縮できます。
【特長】
■TO247パッケージできわめて低いRDS(on)
■.XT技術で最高クラスの放熱性を実現
■ゲート負電圧の定格を-10Vまで低下
■-5V~0Vまでゲートオフ電圧の柔軟な選択
■アバランシェおよび負荷短絡耐量
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
基本情報低オン抵抗領域の1200V CoolSiC MOSFET
【対象アプリケーション】
■高速EVチャージャー
■太陽光発電システム
■エネルギー貯蔵システム
■産業用ドライブ
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価格帯 | お問い合わせください |
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用途/実績例 | ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 |
カタログ低オン抵抗領域の1200V CoolSiC MOSFET
取扱企業低オン抵抗領域の1200V CoolSiC MOSFET
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