【ディスクリート】IGBT　ラインアップ一覧アールエスコンポーネンツ

バイポーラデバイスの高耐圧・低オン抵抗！半導体に電圧を印加する3端子デバイス

『IGBT』は、絶縁ゲートバイポーラトランジスタとも呼ばれ、
入力部がMOSFET構造、出力部がバイポーラー構造のトランジスタです。

MOSFETとバイポーラトランジスタの長所を両立させたような特性で、
MOSFETと同様に高速スイッチングが可能。

P-N-P-Nの4層からなる半導体素子により構成されて、数kVまでの
電力制御用途によく使われています。

【ラインアップ(抜粋)】
■Toshiba Nチャンネル IGBT GT60PR21,STA1F(S
■Semikron Nチャンネル IGBTモジュール SKM195GB066D
■Semikron Nチャンネル IGBTモジュール SKM100GB12T4
■Semikron Nチャンネル IGBTモジュール SKM145GB066D
■IXYS Nチャンネル IGBT IXGH32N170

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基本情報【ディスクリート】IGBT　ラインアップ一覧

【種類】
■最大電圧
■コレクタ電流
■スイッチング速度
■パッケージングタイプなど

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用途／実績例	【用途】 ■可変速駆動装置 ■電力変換器 ■冷蔵庫 ■IH炊飯器 ■UPS ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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