EBINAX株式会社 【技術コラム #01】TSV 半導体
- 最終更新日:2023-10-05 10:51:25.0
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貫通電極で高機能・高次元化が期待!技術の現状や課題、当社の技術をご紹介
TSVは近年、半導体の3次元実装で注目を集めています。
近年の半導体開発の動向より、IC(集積回路)の高集積化は3次元に
実装する方向に開発が進んでいく見込みです。その際に、
TSV(シリコン貫通電極)などの基板の垂直方向に電極を形成する技術は、
半導体分野の3次元化に大きく貢献することを期待。
当コラムでは、半導体分野の動向から、TSV技術、そして当社が
開発している「ガラス貫通電極(TGV)」についてご紹介いたします。
【掲載内容(抜粋)】
■TSVは半導体の3次元実装に重要な技術!現状と課題についてご紹介
■半導体の開発は3次元実装の方向へ
■半導体の3次元実装に重要な技術!
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基本情報【技術コラム #01】TSV 半導体
【その他掲載内容(抜粋)】
■TSV(Through-Silicon Via、シリコン貫通電極)とは?
■TSVの開発背景
■TSVの半導体におけるメリット
■TSVの作製プロセス
■(1)Via first
■(2)Via-Middle
■(3)Via last
■TSV(半導体)の現状の課題について
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