SUPREME COMPONENTS INTERNATIONAL パワートランジスタ『CGD65A130S2』
- 最終更新日：2024-04-10 11:26:52.0
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『CGD65A130S2』は、エンハンスメント モードのGaNオンシリコン
パワートランジスタです。
電流検出機能を内蔵することにより別個の電流検出抵抗が不要。
外付けがないのでセンス抵抗が必要な場合は、デバイスを直接接続可能。
グランドの広い銅領域にはんだ付けされているため、平面、
熱性能の向上、熱設計を簡素化し、高周波をサポートする
DFN 8x8 SMDパッケージです。
【特長】
■簡単設計
■高信頼性
■650V-12AeモードGaNパワースイッチ
※英語版カタログをダウンロードいただけます。
※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
基本情報パワートランジスタ『CGD65A130S2』
【スペック】
■650V-12AeモードGaNパワースイッチ
■ハイゲート用のICeGaNゲート技術、しきい値と広いゲート電圧ウィンドウ、
Si MOSFET用のゲートドライバと互換性あり
■ゲート駆動電圧9V～20V
■電流検出機能
■RDS(on)＝130mΩ
■非常に高いスイッチング周波数に適している
■ケルビン接触
■8x8mm2の小さなPCB設置面積
■底面冷却型DFNパッケージ
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※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
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カタログパワートランジスタ『CGD65A130S2』
取扱企業パワートランジスタ『CGD65A130S2』
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半導体・電子部品はもとより、コネクター・スイッチといった、幅広い製品群をタイムリーにお客様へお届けするネットワークを構築しています。 特に、アジア地区の電子部品メーカーの代理店として、デザインインから保守部品の提供まで、長いスパンでのサポートを目指しています。 また、シチズン社のCOBエンジンを用いたハイパワーのライティング製品に使用される各製品（ドライバー・レンズ・プロテクター・放熱板など）の提案営業を行っております。
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