東芝ナノアナリシス株式会社 SiCウェーハのエッチピットの形状解析
- 最終更新日:2023-12-28 10:51:22.0
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SiCウェーハに形成されたエッチピットを3次元X線顕微鏡(X線CT)で観察した事例を紹介!
パワー半導体の普及に向け、低欠陥のSiCウェーハの開発が
進められています。
X線CTは非破壊で物質の形状を3次元的に可視化し、定量評価できる手法です。
PDF資料にて、SiCウェーハに形成されたエッチピットを3次元X線顕微鏡
(X線CT)で観察した際のCT像をご覧いただけます。
【概要】
■X線CTによるエッチピットの形状解析
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
基本情報SiCウェーハのエッチピットの形状解析
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用途/実績例 | ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 |
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