東芝ナノアナリシス株式会社
最終更新日：2023-12-18 12:58:19.0
SiCウェーハのエッチピットの形状解析
SiCウェーハのエッチピットの形状解析
パワー半導体の普及に向け、低欠陥のSiCウェーハの開発が
進められています。
X線CTは非破壊で物質の形状を3次元的に可視化し、定量評価できる手法です。
PDF資料にて、SiCウェーハに形成されたエッチピットを3次元X線顕微鏡
(X線CT)で観察した際のCT像をご覧いただけます。
【概要】
■X線CTによるエッチピットの形状解析
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 （詳細を見る）
取扱会社 SiCウェーハのエッチピットの形状解析
■半導体製品、FPD、電子部品およびそれらの品質信頼性評価用ユニットの 故障解析、構造解析、材料分析、インプロセスQC関連分析、プロセス評価、 清浄化評価、化学分析および評価 ■金属、セラミックス、液晶、高分子材料、新素材、原子力材料の物理分析、 化学分析および評価 ■作業環境測定およびナノマテリアル環境評価、医療、医薬を支援する 封じ込め性能評価や抗がん剤汚染評価
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