各種デバイス、素子向け『ウエハーレベルバーンイン』 Semi Next

完全なハードウェアで各回路を保護！最大6枚、または12枚のウエハーの同時バーンインに対応

『wafer level burn-in』は、Si、GaN、SiC、セラミック等のデバイスをウェーハでバーンインでき、デバイスのバーイン効率を大幅アップ！

最大6枚、または12枚のウエハーの同時バーンインに対応できます。
また、治具ごとに独立でburn-in条件設定が可能。完全なハードウェアで
各回路を保護します。

【特長】
■Si、GaN、SiC、セラミック等のウェーハのバーンインに好適
■治具ごとに独立でburn-in条件設定が可能
■ウェハー上のすべてのチップを同時に電源投入してバーンイン可能
■電圧レンジMAX2000Vまでカスタマイズ可能
■バーイン中の電流モニタリング対応
■温度範囲 RT-200C

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

基本情報各種デバイス、素子向け『ウエハーレベルバーンイン』

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