【産業調査レポート】世界の高電子移動度トランジスタ市場 H&Iグローバルリサーチ

世界の高電子移動度トランジスタ市場2023-2030：種類別（GaN、GaAs）、用途別（民生用電子機器）、地域別

高電子移動度トランジスタ市場の成長と動向
Grand View Research, Inc.の新しい調査によると、高電子移動度トランジスタの世界市場規模は、2023年から2030年にかけて年平均成長率7.8%で拡大し、2030年には99億3000万米ドルに達すると推定されています。市場成長の原動力は、衛星テレビ受信機、携帯電話、レーダーシステムなどの高周波エレクトロニクスに対する消費者需要の増加です。ミリ波周波数用に設計された高電子移動度トランジスタ（HEMT）は、これらの技術の性能と効率を実現する上で極めて重要な役割を果たしています。さまざまなデバイスにHEMTを使用する半導体企業が増加していることも、市場成長を促進する主な要因です。例えば、パワー半導体メーカーのローム株式会社は2023年8月、ゲートドライバと650V窒化ガリウム（GaN）HEMTを内蔵したEcoGaNパワーステージIC「BM3G0xxMUV-LBシリーズ」を発表しました。

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基本情報【産業調査レポート】世界の高電子移動度トランジスタ市場

第1章. 方法・範囲
第2章. エグゼクティブサマリー
第3章. 高電子移動度トランジスタ市場変数、トレンド、スコープ
第4章. 高電子移動度トランジスタ市場タイプ別動向・予測分析
第5章. 高電子移動度トランジスタ市場最終用途の予測・動向分析
第6章. 高電子移動度トランジスタ市場地域別予測・動向分析
第7章. 競争状況
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納期	2・3日
型番・ブランド名	GRV24JAN188
用途／実績例	・世界の高電子移動度トランジスタの市場規模・市場動向・市場予測・世界の高電子移動度トランジスタの種類別（GaN、GaAs）、用途別（民生用電子機器、航空宇宙・防衛）、地域別（アジア太平洋地域、北米）・クライアント様：製造業、研究機関、政府機関、大学院、コンサルティング会社など・部署：経営企画、研究開発、営業、マーケティング、新規事業、海外事業部門など

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