OptiMOS 6 パワーMOSFET インフィニオンテクノロジーズジャパン

SuperSO8パッケージとPQFNパッケージ(3.3×3.3)！高い電力密度を実現

「OptiMOS 6 100V」は、高スイッチング周波数アプリケーションの
新しい業界標準となる先進のパワーMOSFET技術です。

インフィニオンの先端の薄ウェーハテクノロジーは、OptiMOS 5
テクノロジーに比べて、大幅に性能を向上。

オン抵抗(RDS(on))と性能指数(FOM-RDS(on)x Qg and Qgd)の改善により
効率が向上し、熱設計が容易になり、並列数を減らすことで、
システムコストの削減につながります。

【特長】
■RDS(on)を最大で20％低減
■FOM Qgが30％向上、FOM Qgdが40％向上
■Qrrを低減
■高いスイッチング周波数に好適
■175℃のジャンクション温度に対応

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

基本情報OptiMOS 6 パワーMOSFET

【利点】
■低導通損失
■低スイッチング損失
■高速ターンオン、ターンオフ
■並列接続の低減
■堅牢で信頼性の高い性能
■環境配慮型製品

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用途／実績例	【対象アプリケーション】 ■テレコム ■サーバー ■ソーラー ■パワーツール ■ロボティクス ■ドローン ■バッテリー管理システム ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。