インフィニオンテクノロジーズジャパン　株式会社 OptiMOS パワーMOSFET PQFN 3.3×3.3

最終更新日：2024-04-16 11:49:42.0
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ソースダウン構造のPQFNパッケージ(3.3×3.3)に搭載！高い放熱性能

当社の「OptiMOS パワーMOSFET PQFN 3.3×3.3」をご紹介いたします。

PQFN パッケージ(3.3×3.3)に搭載された新製品のラインアップは、
25Vから100Vまで。

ソースダウン技術は、シリコンダイを部品内部で上下逆にすることで、
デバイスやシステムレベルでの利点を提供しています。

【特長】
■既存技術に比べて、RDS(on)が最大で30％と大幅に削減
■既存のPQFNパッケージ技術に比べて、RthJCも改善
■スタンダートとセンターゲートと実装面積の異なる2種類で提供
■最適化された新しいレイアウトの可能性

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

基本情報OptiMOS パワーMOSFET PQFN 3.3×3.3

【主な利点】
■高い電力密度と性能
■優れた熱性能
■レイアウトの可能性を最大限に引き出し、基板専有面積を有効活用
■センターゲート構造により複数のMOSFETの並列構成を簡素化
■低いPCB損失
■PCB寄生容量の低減

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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用途／実績例	【対象アプリケーション】 ■ドライブ ■テレコム ■SMPS ■サーバー ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。