CoolMOS CFD7 650V パワーMOSFET インフィニオンテクノロジーズジャパン

ThinPAK8×8に封止！最高クラスのRDS(on)とパッケージの組み合わせ

当社の「CoolMOS CFD7 650V パワーMOSFET 」をご紹介いたします。

高速ボディダイオードを内蔵したスーパージャンクションMOSFETで、
大電力の共振トポロジーに好適な製品。

スイッチング性能の向上と優れた熱特性により、LLCや位相シフトフル
ブリッジ(ZVS)回路などの共振スイッチングトポロジーにおいて、
最高クラスの効率を実現します。

【特長】
■超高速ボディダイオード＆超低Qrr
■絶縁破壊電圧650V
■最高クラスのRDS(on)とパッケージの組み合わせ
■著しく低減されたスイッチング損失
■RDS(on)の温度依存性が低い

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

基本情報CoolMOS CFD7 650V パワーMOSFET

【主な利点】
■転流本格使用に備えた優れた堅牢性
■バス電圧が上昇した設計のための安全マージンの追加
■パワー密度の向上が可能
■産業用SMPSアプリケーションにおける優れた光負荷効率
■産業用SMPSアプリケーションにおける全負荷効率の向上
■市場での代替品と比べ高いコスト競争力

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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用途／実績例	【対象アプリケーション】 ■高速EV充電 ■サーバー電源 ■太陽光発電システム向けソリューション ■通信インフラ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。