一般財団法人材料科学技術振興財団 MST ［SIMS］二次イオン質量分析法
- 最終更新日：2016-02-18 13:54:19.0
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イオンを試料表面に入射させると、試料表面からは電子・中性粒子・イオンなど様々な粒子が放出されます。SIMSは、これらの粒子のうちイオンを検出し、各質量における検出量を測定することで、試料中に含まれる成分の定性・定量を行う手法です。
・高感度（ppb～ppm）
・HからUまでの全元素の分析が可能
・検出濃度範囲が広い（主成分元素から極微量不純物まで）
・標準試料を用いて定量分析が可能
・深さ方向分析が可能
・数～数十nmの深さ方向分解能での評価が可能
・数μm角までの微小領域の測定が可能
・同位体分析が可能
・破壊分析
基本情報［SIMS］二次イオン質量分析法
酸素やセシウムなどのイオン(一次イオン)を試料表面に照射すると試料表面近傍の原子は攪拌され、一部が真空中に飛び出してきます（スパッタリング）。
飛び出してきた粒子のうちイオン(二次イオン)を質量分析することで、試料中に含まれる成分の定性・定量を行います。
| 価格情報 | - |
|---|---|
| 納期 | お問い合わせください |
| 用途／実績例 | ・構成元素の評価 ・汚染や不純物の評価 ・深さ方向への元素分布評価 ・元素の二次元分布・三次元分布評価 ・各種金属材料・無機材料・炭素材料・有機材料の評価 |
詳細情報［SIMS］二次イオン質量分析法
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取扱企業［SIMS］二次イオン質量分析法
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