一般財団法人材料科学技術振興財団 MST ［TOF-SIMS］飛行時間型二次イオン質量分析法
- 最終更新日：2016-09-12 09:36:40.0
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試料表面の構造解析を行う手法です。他の分析装置に比べ表面に敏感であることから、最表面の有機汚染の同定などに適した手法です。
スパッタイオン源を用いて、深さ方向に無機・有機物の分布分析が可能です。
・有機・無機化合物の構造解析・同定が可能
・異物検査装置の座標データとリンケージが可能
・ミクロンオーダーの微小異物から数cmまでの定性が可能
・最表面を感度よく分析することが可能
・イメージ分析が可能
・深さ方向分析の定性分析が可能
基本情報［TOF-SIMS］飛行時間型二次イオン質量分析法
一次イオン照射量を少なくすることで、表面の分子状態を保って二次イオンを発生させることが可能となります。得られた二次イオンを、飛行時間型（Time-of-Flight)質量計で分析します。
| 価格帯 | お問い合わせください |
|---|---|
| 納期 | お問い合わせください |
| 用途／実績例 | ・変色部（曇り、シミなど）、剥離部の成分評価・原因調査 ・残渣、付着物、異物（数μm以上）の有機・無機定性分析 ・処理前後の最表面評価 ・有機EL・有機太陽電池・高分子フィルムの材料及び添加剤の分布評価 ・金属薄膜の層構造評価・不純物の定性評価 ・二次電池のバインダーの定性・Liの状態・劣化評価 ・粉体表面からの不純物・コーティング剤の分布評価 ・薬剤の皮膚や毛髪への浸透評価 ・フィルムの成分分布評価 |
詳細情報［TOF-SIMS］飛行時間型二次イオン質量分析法
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取扱企業［TOF-SIMS］飛行時間型二次イオン質量分析法
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