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【分析事例】半導体パッケージのはんだ濡れ性試験_C0699
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【分析事例】SIMSによる化合物半導体の組成分析
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【分析事例】第一原理計算によるワイドギャップ半導体 窒化ガリウム(GaN)における欠陥準位の解析_C0680
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半導体のイオン化ポテンシャル評価_B0191
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半導体中キャリアの直流電圧依存性評価
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【分析事例】GaN基板の表面形状分析_C0708
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【分析事例】マテリアルズインフォマティクス(MI)を用いた新規有機半導体材料の構造探索_C0652
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【分析事例】ワイドギャップ半導体β-Ga2O3のドーパント存在
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【分析事例】半導体基板中軽元素の高感度分析
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【分析事例】IGZO 薄膜の結晶性・膜密度評価
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【分析事例】IGZO薄膜のXAFSによる局所構造解析
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【分析事例】有機材料中の金属分析_C0658
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【分析事例】有機薄膜太陽電池電極界面の状態評価および有機膜の分散状態評価_C0177
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[EBIC]電子線誘起電流
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研究開発を強力サポート 「受託分析サービス」
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【分析事例】水素注入サンプルのSRA/SIMS評価事例_C0322
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【分析事例】SiC基板表面および内部の不純物濃度測定_C0698
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【分析事例】薄膜・バルク・粉末材料の組成・不純物分析_C0314
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[SCM][SNDM]
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ESD試験
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【分析事例】GCIBを用いたSiO2中アルカリ金属の深さ方向濃度分布評価_C0234
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【分析事例】IGZO膜中H濃度評価_C0328
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フロンガスの定性分析
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【分析事例】IGZO膜の化学状態評価_C0331
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【分析事例】IGZO膜の局所結晶構造解析_C0330
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【分析事例】IGZO膜へのTi拡散評価_C0329
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部材の有機汚染分析
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第一原理計算によるALD成膜における プリカーサ吸着シミュレーション
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【分析事例】Xe-PFIBを用いた広域断面のSEM観察
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【分析事例】シリコン結晶中の不純物拡散シミュレーション
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