• アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社 企業イメージ

    アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社

    【パワーMOSFET・MEMS技術基盤ウエハー】のメーカーです。MEM…

    当社は、電源に高いパフォーマンスを発揮する高耐圧のパワーMOSFETおよびMEMS技術プロセス、高度な技術基盤ウエハーやSOI(シリコンオンインシュレーター)、貼り付けシリコン基板を、高い費用対効果で提供するベストインクラスのサプライヤーとして2004年に設立いたしました。(米国本社、英国製造拠点、東京R&D拠点) 革新的な深いトレンチエッチを持つMEMS構造の高耐圧スーパージャンクションM…

    • 電子部品・半導体
    • 東京都 江東区
  • イサハヤ電子株式会社 企業イメージ

    イサハヤ電子株式会社

    エレクトロニクスが秘める無限の可能性に挑戦し、社業の発展を通じて社会的…

    イサハヤ電子は、1973年から小信号トランジスタの生産を開始し、培ってきた半導体技術をゲートドライバやDC/DCコンバータの設計技術へと進化させてきました。 近年では更に、カーボンニュートラルの一翼を担うべく、高効率、高力率の電源技術開発に力を入れております。 (三相PFC、1500V入力対応DC/DCコンバータ、双方向コンバータ等) 一方、多様なニーズに応えるべく、小信号トランジスタも高機…

    • 電子部品・半導体
    • 大阪府 大阪市北区
  • トランスフォーム・ジャパン株式会社 企業イメージ

    トランスフォーム・ジャパン株式会社

    GaN(窒化ガリウム)パワーデバイスのリーディングカンパニー

    トランスフォーム・ジャパン株式会社は、GaN(窒化ガリウム)パワーデバイスのリーディングカンパニーtransphormの日本法人です。 650V耐圧のGaNパワートランジスタをラインナップし、GaNチップの製造は日本国内(会津若松市)のIATF16949およびISO9001認証取得済みの量産工場で行っています。 幅広い定格のGaNパワーデバイスを通じ、電気エネルギーの高効率利用や機器の小型化の…

    • 電子部品・半導体
    • 神奈川県 横浜市港北区
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