解説資料『高周波焼入はやり方次第で変わる（材質編）』

PR鋼材別の特徴、合金元素の特性、前処理方法などの知識を明快に解説。困りご…

高周波焼入の設備設計・製作や試作・受託加工などを手がける当社では、 資料『高周波焼入はやり方次第で変わる（材質編）』を進呈中です。 高周波焼入が可能な材料例や前処理方法といった基礎知識をはじめ、 各種合金元素の添加量が増した際の特性変化や、焼入性倍数について紹介。 他にも、焼入品質の低下や不具合発生につながる 現象に関する情報についても簡潔にまとめています。 【掲載内容】 ...

メーカー・取り扱い企業： 富士電子工業株式会社

受託解析★軽量設計・強度アップ・振動問題・各種自動化・機械学習等

PR長年の製造業界での実績を武器に、課題/ご要望に応じてデータ作成から解析…

軽量設計や強度の向上、振動問題など構造最適化に取り組まれている方、そのアプローチに困っている方、3Dプリンター造形やスキャン画像処理およびモデリング・解析について模索中の方など、構造最適化に関連する課題を経験豊富な技術スタッフがお客様と一緒に問題解決に取り組み、各種データ作成から解析・評価・報告書作成までトータルで（その一部でも）お引き受けします。 課題が漠然としていて具体的な内容が決まっていな...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社くいんと

CZウェーハ　エピ受託加工　SiGeエピウェーハ　他

小ロットからの対応可能です。特殊なエピ、多層エピなどにも出来るだけ対応…

「エピウェーハ」 1. ディスクリートデバイス向けや IC powerデバイス向けに使用されております。 ＊直径: 100-200 mm ＊Epi層ドーパント: Boron 、Phosphorous ＊Epi層抵抗値: 0.01-500 Ω/cm ＊Epi厚: 1-150 um ＊Stacking fault: 10 /cm2 以下 ＊Thickness Uniformity: ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社エナテック 東京本社

3インチ～12インチまで対応可能　「SOIウェーハ」

3インチ～12インチまで少量対応が可能です。 仕様により高抵抗基板・…

CZシリコンを使用したSOI以外にも、基板・デバイス層とも高抵抗FZシリコンを使用したSOIウェーハも対応可能です。 直径：3インチ～12インチ SOI層：2－200um程度（抵抗1万Ω以上など高抵抗対応可能） SiO2(酸化膜）層：0.5－2um程度(0.1-10umも対応可能） 支持基板：300-725um程度（直径によりますが抵抗1万Ω以上など高抵抗対応可能） ＊仕様によります...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社エナテック 東京本社

1インチ以下～450ｍｍで提供可能　「CZウェーハ」

1インチ以下～４５０ｍｍまで提供が可能です。各種成膜加工、ＦＺウェーハ…

弊社では、半導体製造装置テスト用のモニターウェーハ・ダミーウェーハ、太陽電池用単結晶シリコンウェーハ・太陽電池用多結晶ウェーハ・ＳＯＩウェーハ・拡散ウェーハなどを取り扱っております。 お客様の用途に合わせて適したウェーハをご紹介させていただきます。 CZウェーハは直径1インチ以下から450mmまでご提供が可能です。 また貴社でお持ちのウェーハにＥＰＩ成膜を行ったり、SOIウェーハへの加工など...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社エナテック 東京本社