２流体混合 | イプロスものづくり

GaNおよびIII族窒化物にpドーピングを行うプロセス解析ツール

有機金属気相成長法(MOCVD)のプロセスシミュレーターPROCOMシミュレーションでp-タイプ伝導率の問題に取組む。膜成長中のMg取込みをコントロールするのが重要。シミュレーションは複雑なドーピングプロセスおよびMOCVDプロセスの最適化を補助。異なるタイプのアクセプターも本ソフトウェアによってシミュレーション可能。...＜主な特徴＞ ■半導体デバイス用の汎用2D/3D有限要素解析・設計ソフト...

メーカー・取り扱い企業：クロスライトソフトウェアインク日本支社

3次元シミュレーションインターフェイスマスクエディター

クロスライトの3次元マスク編集ツールMaskEditor

MaskEditor(マスクエディター)は基本的にレイアウトのためのマスク作成・編集ツール。プロセスシミュレーターCSuprem(シーシュープリム)と合わせることでデバイスシミュレーションのための3次元メッシュが生成可能。デバイスレイアウトをGDSIIフォーマットで生成可能。3Dプロセスシミュレーションのためのマスクを生成。...＜主な特徴＞ ■半導体デバイス用の汎用2D/3D有限要素解析・設計...

メーカー・取り扱い企業：クロスライトソフトウェアインク日本支社

感光デバイス解析シミュレータ

APSYSとFDTDを利用した感光デバイスのシミュレーション解析ツール

デバイスシミュレーターAPSYSとFDTD(バリエーション有)でシームレスに作業・デバイスシミュレーションが可能。APSYS-FDTDパッケージに付属されている2Dと3D構造デバイスのFDTDに関する例題を使用してその機能を例示。複雑な3D構造のシミュレーションには64ビットCPUとOSが必要だが、APSYSは既に対応済み。...＜主な特徴＞ ■半導体デバイス用の汎用2D/3D有限要素解析・設計...

メーカー・取り扱い企業：クロスライトソフトウェアインク日本支社

マッハツェンダー型光変調器のデバイスシミュレータ

InP基板上に多重量子井戸をもつマッハツェンダー型光変調器の物理モデル…

マッハツェンダー型光変調器のシミュレーションには微視的な量子井戸モデルから導波路とシステムに関連する回路モデルまで必要。クロスライトはマッハツェンダー型光変調器の設計に対して統合された最先端のソリューションを提供する。資料では、さまざまな物理的数理的モデルを紹介し、実際のモデリングの例を解説。...＜主な特徴＞ ■半導体デバイス用の汎用2D/3D有限要素解析・設計ソフトウェア ■半導体レーザを...

メーカー・取り扱い企業：クロスライトソフトウェアインク日本支社

半極性InGaN半導体レーザのシミュレータ

半極性のInGaN半導体レーザの解析ツール

結晶座標系、ひずみや応力などを考慮したモデリングのアプローチを紹介。LASTIPでの2次元計算を例に、内部電場を伴わない光利得(optical gain)など半極性と非極性とc面(c-plane)で比較。結晶成長方向を考慮したウルツ鉱型MQWデバイスに対するk.p.理論に基づいたモデルはAPSYS、LASTIPとPICS3Dに搭載。...＜主な特徴＞ ■半導体デバイス用の汎用2D/3D有限要素解...

メーカー・取り扱い企業：クロスライトソフトウェアインク日本支社

光、電気、熱の3D解析シミュレータ

多モード光干渉導波路半導体レーザの3次元解析ツール

多モード光干渉導波路(MMI: Multimode Interference)半導体レーザの発光特性、電気特性と熱解析のシミュレーション。物理モデルを紹介。マスク作成から3次元シミュレーションまでシミュレーションの手順を解説。MMIデバイスのデザインにおいて考慮すべき点を説明。...＜主な特徴＞ ■半導体デバイス用の汎用2D/3D有限要素解析・設計ソフトウェア ■半導体レーザを除くほとんど全て...

メーカー・取り扱い企業：クロスライトソフトウェアインク日本支社

薄膜トランジスタの3次元シミュレータ

薄膜トランジスタの3次元解析ツール

プロセスシミュレータCSupremとデバイスシミュレーターAPSYSを利用した3次元計算の概要を紹介。MaskEditorによるパターン作成、このパターンをもとにプロセスシミュレーション、プロセスシミュレーション結果をもとに薄膜トランジスタ(TFT)の電気的、光的特性をデバイスシミュレーションし結果プロットを表示。...＜主な特徴＞ ■半導体デバイス用の汎用2D/3D有限要素解析・設計ソフトウェ...

メーカー・取り扱い企業：クロスライトソフトウェアインク日本支社

FDTDによるサファイア基板LEDのデバイスシミュレータ

2つの異なる表面構造を持つLEDのFDTD法解析ツール

異なる表面形状を持った2種類のLEDデバイス構造をAPSYSでFDTD法を用いてシミュレーションし、角度に依存する発光強度分布が得られた。表面形状の違いが発光強度に反映。2Dと同じ方法で3D構造のFDTDシミュレーションが可能。...＜主な特徴＞ ■半導体デバイス用の汎用2D/3D有限要素解析・設計ソフトウェア ■半導体レーザを除くほとんど全てのデバイス設計・解析に適用可能 ■シリコン、化合...

メーカー・取り扱い企業：クロスライトソフトウェアインク日本支社

蛍光体LED光線追跡シミュレータ

蛍光体をコーティングしたLEDの光線追跡シミュレーション解析ツール

解析手順のテクニックを紹介。光線追跡を解析、得られた結果のプロットを表示。（LED出力の角度配布。黄色/赤色の蛍光体における、吸収されたパワー密度のプロファイル。全ての光出力のスペクトラム。）...＜主な特徴＞ ■半導体デバイス用の汎用2D/3D有限要素解析・設計ソフトウェア ■半導体レーザを除くほとんど全てのデバイス設計・解析に適用可能 ■シリコン、化合物から成るデバイスの設計に用いること...

メーカー・取り扱い企業：クロスライトソフトウェアインク日本支社

低電界移動度モデルのシミュレータ

低電界移動度モデルの解析ツール

低電界移動度モデルの概要説明。そのコマンド文法の解説。各機能とパラメータの解説。NMOSを題材にシミュレーションのセットアップについての解説およびその計算結果としてのId-Vd特性およびId-Vg特性のプロットを例示。...＜主な特徴＞ ■半導体デバイス用の汎用2D/3D有限要素解析・設計ソフトウェア ■半導体レーザを除くほとんど全てのデバイス設計・解析に適用可能 ■シリコン、化合物から成る...

メーカー・取り扱い企業：クロスライトソフトウェアインク日本支社

ミックスモードシミュレータ

回路とデバイス混在のシミュレーション

回路(SPICE)とデバイスを混在してシミュレーションを行うクロスライトのミックスモードを紹介。回路とデバイス混在シミュレーションのしくみの概略説明。IGBTデバイスを題材にミックスモードの実行と結果解析の例を紹介。...＜主な特徴＞ ■半導体デバイス用の汎用2D/3D有限要素解析・設計ソフトウェア ■半導体レーザを除くほとんど全てのデバイス設計・解析に適用可能 ■シリコン、化合物から成るデ...

メーカー・取り扱い企業：クロスライトソフトウェアインク日本支社

パワー半導体のシミュレータ

半導体デバイス設計とクロスライトソフトウェアのTCADを利用例

クロスライトの各製品の詳細を事例をもとに紹介。クロスライトのAuto TCADを解説。...＜主な特徴＞ ■半導体デバイス用の汎用2D/3D有限要素解析・設計ソフトウェア ■半導体レーザを除くほとんど全てのデバイス設計・解析に適用可能 ■シリコン、化合物から成るデバイスの設計に用いることが可能＜多様な物理モデルや機能＞ ■電流-電圧(I-V)特性 ■ポテンシャル、電場、電流の2次...

メーカー・取り扱い企業：クロスライトソフトウェアインク日本支社

【書籍】フロー合成、連続生産(No.2082BOD)

【試読できます】★ 合成条件探索の時間・コスト削減に向けた機械学習の活…

書籍名：フロー合成、連続生産のプロセス設計、条件設定と応用事例－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－ ★ 連続生産による品質変動リスクを解決するために！　『プロセス制御』『リアルタイムモニタリング技術』！ ■　本書のポイント ●フロー合成の装置、周辺機器の設計、選定と反応条件設定　・配管パーツ、送液デバイスの種類と選択方法　・流量のモニタリングと流路切替え...

メーカー・取り扱い企業：株式会社技術情報協会

高応力GaNデバイスの研究ツール

高応力(higly stressed)がかかるGaN多重量子井戸(MQW)の理論モデルを解説。クロスライトのデバイスシミュレーターでシリコン上に任意の結晶方向(crystal orientations)に成長したGaNデバイスLEDについて次のような結果を得ることが可能。シリコン基板からの張力(tensile)は多重量子井戸(MQW)のバンドギャップ(band gap)を減少し波長が長くなる。多重...

メーカー・取り扱い企業：クロスライトソフトウェアインク日本支社

LEDの多重量子障壁の有無比較ツール

LEDの多重量子障壁の有無比較のためのツール

多重量子障壁(MQB: Multiple Quantum Barriers)超格子(SL: superlattice)のトンネリングモデルを解説。超格子の有無をシミュレーション比較。（バンド図(band diagram)、L-I特性、内部量子効率(IQE)、電子リーク(electron leakage)など）多重量子障壁は電子のポテンシャルバリアを増加し電子リークをより効果的にブロック。...＜主...

メーカー・取り扱い企業：クロスライトソフトウェアインク日本支社