CSupremを使った3次元MEMSシミュレータ

CSupremを使ったMEMSの3次元プロセス解析ツール

CSupremはMEMS(Micro-Electro-Mechanical Systems)作成をただちに行えるシミュレータ。RFスイッチ(RF Switches)、電位計(Electrometer)、ポリシリコンMEMS(Polysilicon MEMS)、SOI MEMS、MT-VCSOAのプロセスシミュレーションを題材に実際の計算を例示。MEMS製造工程を正確に最適化、MEMS形成のシミュレ...

メーカー・取り扱い企業： クロスライトソフトウェアインク日本支社

シリコンICプロセスシミュレータ

CSupremにおける物理モデル

イオン注入(ion implantation), 蒸着(deposition)、エッチング(etching)、拡散(diffusion)、酸化(oxidation)に対する物理モデルをベースに様々な半導体構造の1次元、2次元および3次元のプロセスシミュレーションが可能。IC製造工程の研究開発コストをコントロールするのに欠くことのできない信頼のある正確なシミュレーションツール。デバイスシミュレーター...

メーカー・取り扱い企業： クロスライトソフトウェアインク日本支社

共振器型LEDのデバイスシミュレータ

RCLEDデバイスを例にクロスライトのデバイスモデリングと解析

RCLEDの様々なタイプの解析例を紹介。（InGaAs/AlGaAs RCLEDを例に実験結果と比較。VCSELと似た構造をもちGaAs/AlGaAs材料の多重量子井戸(MQW)のRCLED。離調DBR(detuned DBR)を持つRCLED。長い共振器をもつRCLED）デバイスシミュレーターAPSYSはオールインワンの解析とデザインアプローチを可能にする。...＜主な特徴＞ ■半導体デバイス...

メーカー・取り扱い企業： クロスライトソフトウェアインク日本支社

多体エキシトン効果の解析シミュレータ

デバイスシミュレーションにおける多体効果、エキシトン効果および不均一広…

多体効果(manybody effect)およびエキシトン(exciton effect)と不均一広がり効果(inhomogenous broadening effect)をデバイスシミュレーターに搭載。結果は文献で発表された理論と実験データに合致。クロスライトは新しい利得/吸収スペクトルモデル(gain/absorption spectrum model)を全てのユーザーに推奨。...＜主な特徴...

メーカー・取り扱い企業： クロスライトソフトウェアインク日本支社

HEMTシミュレータ

HEMTシミュレーションにおける解析ツール

「GaN/AlGaN HEMTにおける圧電分極(Piezoelectric charge)、核形成層(nucleation layer)と半絶縁トラップ(semi-insulating traps)」、「GaN/AlGaN HEMTにおけるホットキャリアトラップ(Hot Carrier Trapping)」、「InGaAs HEMTにおけるインパクトイオン化効果」の各課題を具体的なデバイスでシミュ...

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量子井戸型赤外線センサーのデバイスシミュレータ

量子井戸型赤外線センサーの自己無撞着モデルによる解析ツール

クロスライトのAPSYSはQWIP(Quantum Well Infrared Photodetectors)デバイスの解析に対して総合的な物理モデルを提供可能。そしてモデルの妥当性は実験結果と比較して十分にリーズナブルである。移動拡散理論(drift-diffusion theory)に対する非局所的な量子補正はQWIPの性質における光電流(photo-carrier extraction)を説...

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クロスライトのFDTDシミュレータ

クロスライトのAPSYSによるFDTD計算

クロスライト独自の2D/3D FDTDシミュレーターを開発。クロスライトのデバイスシミュレーターと直結可能。Phythonを利用したスクリプト作成・処理が可能。GUIから全ての操作をコントロール可能。物質の分散は様々な分散モデルにより提供。PBCおよびUPML/CPML吸収境界条件を装備。並列計算による処理の加速は、MPI並列処理またはGPUデータ並列が利用可能。...＜主な特徴＞ ■半導体デバ...

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量子ドリフトディフュージョン解析シミュレータ

量子モデルおよび非局在輸送モデルによる解析ツール

従来の移動拡散ソルバー(drift-diffusion solver)に様々な量子モデル(quantum model)および非局在輸送モデル(non-local model)を含むように改良。それらのモデルは、量子および非局在的な物理を含むデバイスをシミュレーションする上で重要。そのようなアプローチでの潜在的な困難として、何らかの妥当性を判断することがユーザーに対して要求される。...＜主な特徴＞...

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表面構造を持つ多重量子井戸LEDの3Dデバイスシミュレータ

表面構造を持ったInGaN/GaN MQW LEDの3D解析ツール

プロセスシミュレータCSupremで3D構造デバイスを構築。APSYSとFDTDの組合せによる表面構造(textured surface)のモデリング手順を紹介。電気特性と光学特性をAPSYSと3D光線追跡を用いて計算。（FDTDデータで3D光線追跡を行い光パワーを抽出）クロスライトソフトウェアのいくつかのモジュールを組合わせることで表面構造を持つLEDを正確に計算可能。...＜主な特徴＞ ■半...

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半導体の3次元シミュレータ

半導体デバイスの3次元TCADシミュレーション解析ツール

クロスライトの3次元TCADを構成する製品の特徴を紹介。実際の計算例にPower NPN BJT、Interconnect Metal Debiasing、Power LDMOS、CMOS Image Sensor、FINFETなどのデバイスをピックアップ。プロセスシミュレーターCSpuremによるデバイス作成、デバイスシミュレーターAPSYSによる電気的および光的特性の解析や熱解析を例示。......

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非平衡グリーン関数によるSOI FinFETシミュレータ

SOI FinFETの3D解析ツール

SOI FinFETのシミュレーションフローとそこで使われるツールの概要を説明。プロセスシミュレーターCSupreによる3Dプロセスシミュレーション例を紹介。プロセスシミュレーションで作った構造データをもとに、デバイスシミュレーターAPSYSにおいて量子閉じ込めや酸化層の溶け込みや量子バリスティック電流輸送モデルなどのFinFETのモデリングの特徴とその解析例を紹介。...＜主な特徴＞ ■半導体...

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MOSFETの基板電流シミュレータ

MOSFETの基板電流解析ツール

プロセスシミュレーターCSupremでNMOS(N-channel MOSFET)のモデリング例を紹介。CSupremデバイスシミュレータAPSYSによる特性解析を例示。また、鐘型曲線(Bell Bell-shaped curves)の基板電流(substrate current)特性をシミュレーションから得、実験結果と比較。...＜主な特徴＞ ■半導体デバイス用の汎用2D/3D有限要素解析・設...

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ガン・ダイオードのシミュレータ

ガン・ダイオードのモデリングと解析のためのツール

ガン・ダイオード(Gunn Diode)のデバイスモデリング、シミュレーション解析結果を解説。ガン・ダイオードの自励発振をデモンストレーション。摂動を伴った過渡シミュレーションが効果を観察する鍵。不均質なキャリア/電場のプロファイルが自励発振のもととなる鍵。過渡的な移動拡散は確率的なノイズ起因のモデルでないため、摂動はユーザーによって定義されるべき。...＜主な特徴＞ ■半導体デバイス用の汎用2...

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フォトニック結晶レーザの3Dシミュレータ

フォトニック結晶半導体レーザの3次元解析ツール

クロスライトの3次元TCADはフォトニック結晶半導体レーザ(PhCLD)解析のためのFDTDおよび電気-光シミュレーション環境を統合。クロスライトの3次元TCADは電気的ポンピングPhCLDをデザイン、最適化するためのツール。ユーザーフレンドリーで実用的なGUIはオリジナルのGDSIIレイアウトから最終的にレーザー発光特性のシミュレーションまでをカバー。...＜主な特徴＞ ■半導体デバイス用の汎...

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CMOSイメージセンサーの3次元シミュレータ

CMOSイメージセンサー3D解析ツール

クロスライトのTCADや3Dシミュレーションの特徴を紹介。また、3D構造を構築するためのツールであるMaskEditorやSemiCrafterの特徴を説明。実際シミュレーションを行うためにCMOSイメージセンサー(CMOS Image Sensor)のプロセスの概要を示し、各ステップ毎の作業を解説。...＜主な特徴＞ ■半導体デバイス用の汎用2D/3D有限要素解析・設計ソフトウェア ■半導体...

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