• 重量物搬送装置 パワーアタック ※最大30tまで移動可能! 製品画像

    重量物搬送装置 パワーアタック ※最大30tまで移動可能!

    PR最大30トンまで移動 ― 本体重量はわずか70kg ・電源・バッテリ…

    重量物搬送装置「パワーアタック用搬送ローラー」を使用すると、狭いエリアでもわずか70kgの重量で最大30トンの搬送物を移動できます。 パワーアタックは、従来のフォークリフトでは動作できない場所でその可能性を最大限に発揮します。 最も過酷で要求の厳しい条件下でモデルをテストし長期にわたるチェックのおかげで、現在48か国で1,000台以上が販売されました。 パワーアタックは、荷物を移動す...

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    メーカー・取り扱い企業: 株式会社コシハラ 大阪本社

  • 新光電子-日亜化学工業株式会社の代理店30周年記念ページ公開 製品画像

    新光電子-日亜化学工業株式会社の代理店30周年記念ページ公開

    PR”光”を共に照らして30年

    当社は、日亜化学工業株式会社のLEDを販売して ちょうど30年の節目を迎える事となりました。 日亜化学工業株式会社の代理店30周年を記念したページを公開いたしました。 https://lp.shinkoh-elecs.jp/collaboration-30th-anniversary/...日亜化学工業が高輝度青色LEDという製品を発売して30年。 それとほぼ時を同じくして、当社は国内唯一の代理...

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    メーカー・取り扱い企業: 新光電子株式会社

  • X線リフローシミュレーター 製品画像

    X線リフローシミュレーター

    X線リフローシミュレーター

    EVO に取付可能 加熱方式    : セラミックヒーター、熱風共用 設定温度    : MAX:400度 ユニット寸法  : 650x510x140mm 対象製品サイズ : 80x80x30mm 昇温時間    : 4℃/sec 連続使用時間  : 15分以内 電源      : 単相200V 30A エアー(窒素) : 0.1~0.3Mpa 100L/M以上...

    メーカー・取り扱い企業: コメットテクノロジーズ・ジャパン株式会社 コメット・エクスロン事業部

  • 広帯域半導体光増幅器『λ-Amp 1040』 製品画像

    広帯域半導体光増幅器『λ-Amp 1040』

    1W出力の1μm帯広帯域光増幅器!SOAならではの高い安定性とスペクト…

    『λ-Amp 1040』は、半導体ベースながら1Wの出力が可能な光増幅器です。980nm~1085nmに及ぶ広帯域の30dB利得帯域を有し、すべての波長帯域で50%以上のPM-Fiberカップリングを得ることが可能です。ファイバアンプに比べて安定かつスペクトル純度も高く、精密な分光計測等において力を発揮します。 ...

    メーカー・取り扱い企業: スペクトラ・クエスト・ラボ株式会社 本社

  • 高周波ハイパワートランジスタ 製品画像

    高周波ハイパワートランジスタ

    製造中止品に対応! ASI社製ハイパワートランジスタ

    ◆HF用途 RFパワートランジスタ 広帯域増幅器用HFシリーズは2-30MHzで安定した信号を出力します。 ◆VHF帯用途 RFパワートランジスタ VHF帯用パワートランジスタのラインナップ。 ◆UHF帯用途 RFパワートランジスタ ...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社電販

  • モジュール『WF101JSYAHMNB0』 製品画像

    モジュール『WF101JSYAHMNB0』

    CTP付!ILI2511を内蔵しUSB、I2Cインターフェイスに対応し…

    【その他の特長】 ■保存温度-:30℃~80℃ ■動作温度:-20℃~70℃ ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。...

    メーカー・取り扱い企業: グローバル電子株式会社

  • パワートランジスタ用ソケット 製品画像

    パワートランジスタ用ソケット

    高電流、高温に対応

    サイリスタ、トライアック、MOSFET、IGBTなどのパワー半導体のテスト用ソケットです。高電流、高温対応でTO-220,TO-3Pを含む多くのTOパッケージに使用できます。 定格電流:30A 使用温度範囲:-55~+150℃...

    メーカー・取り扱い企業: 日本コネクト工業株式会社

  • CMUDM7004 MOSFET 製品画像

    CMUDM7004 MOSFET

    Central Semiconductor MOSFET CMUDM7…

    VDS ドレイン・ソース間電圧:30V VGSゲートしきい値電流:8.0V ID 連続ドレイン:450mA 消費電力(最大):250mW 動作温度:-65~+150°C...

    メーカー・取り扱い企業: 日本ミック株式会社

  • MOS FET シングルNチャンネル(ELM43400CB) 製品画像

    MOS FET シングルNチャンネル(ELM43400CB)

    【おすすめ】低入力容量、 低電圧駆動、 低ON 抵抗という特性を備えた…

    【特長】 ・ Vds=30V ・ Id=5.8A ・ Rds(on) = 27mΩ (Vgs=10V) ・ Rds(on) = 32mΩ (Vgs=4.5V) ・ Rds(on) = 40mΩ (Vgs=2.5V)...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社エルムテクノロジー

  • MOS FET シングルPチャンネル(ELM43401CA) 製品画像

    MOS FET シングルPチャンネル(ELM43401CA)

    【おすすめ】低入力容量、 低電圧駆動、 低ON 抵抗という特性を備えた…

    【特長】 ・ Vds=-30V ・ Id=-4.3A ・ Rds(on) = 65mΩ (Vgs=-10V) ・ Rds(on) = 75mΩ (Vgs=-4.5V) ・ Rds(on) = 100mΩ (Vgs=-2...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社エルムテクノロジー

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