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SiCの両面研削を実現!両面研削加工
今後の市場拡大が予想されるSiC(シリコンカーバイド)、 GaN(ガリウムナイトラ)などのパワーデバイスにおいて、コスト削減は 重要な課題です。 その中でも、従来の加工プロセスと異る方法でコスト 削減を実現した加工事例をご紹介いたします。 【研磨結果】 ■表面粗さ<0.5nm (後工程CMP) ■TTV<2μm/Warp<10μm ■高速圧研磨装置『EJD-6BY』と ...
メーカー・取り扱い企業: 日本エンギス株式会社
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